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主要的材料有:
(1)Cr-SiO薄膜,是一种高阻薄膜,其方阻为500 ~3kΩ/口,电阻温度系数小于100ppm/ C'。可用蒸发或溅射法制备。蒸发所用原料为高纯(99. 99%)铬粉和SiO粉混合物。反应溅射法所用原料为高纯铬、硅复合靶,反应气体为高纯氧;或用高纯铬靶、SiO靶进行双靶溅射;
(2)Ti-SiO2薄膜,也是一种电阻温度系数较小、稳定性高的高阻薄膜 。