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约内斯库解释道：“通过用隧道效应取代传统场效应晶体管利用的场效应，我们能将施加于晶体管的电压从1伏特减少到0.2伏特。从实用角度来考虑，电压减少可将能耗减少到以前的百分之一。新一代微处理芯片将整合传统的场效应技术和隧道场效应晶体管技术。IBM公司和法国电子信息技术研究所研制出的模型现已进入工业化生产阶段的前期，我们有理由相信，到2017年，隧道场效应晶体管将进入大规模制造阶段。”
