世界集成电路的发展历史

1947年：贝尔实验室肖特莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；集成电路

1950年：结型晶体管诞生；　1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；　1951年：场效应晶体管发明；　1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；　1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；　1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；　1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；　1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；　1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现；　1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；　1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；　1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；　1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；　1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；　1985年：80386微处理器问世，20MHz；　1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段；　1989年：1Mb DRAM进入市场；　1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺；　1992年：64M位随机存储器问世；　1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺；　1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺；集成电路

1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺；　1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺；　2000年：1Gb RAM投放市场；　2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺；　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。　2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。　2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。　2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。　2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。

我国集成电路的发展历史

我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：　1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；　1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；　1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。