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由于科技时代的需要，小体积、多功能、快速度的集成电路已是电子工业的基本要求。增厚氧化膜，提高其耐压性，显然是行不通的，因此在器件的集成度越来越高的趋势下，通常将器件氧化膜的膜厚做得越来越薄使其尺寸减少，器件的耐压也随之降低。半导体器件，特别是ic，根据其种类不同受静电破坏的程度也不一样，弱至100v的静电也会造成破坏，具体数据见表一。
