与体硅技术相比，FDSOI技术实现了晶体管沟道的全耗尽，使FDSOI器件及电路的性能得到了大幅度的提高。然而，智能剥离技术由于剥离硅层厚，剥离表面粗糙等问题，在制备FDSOI材料时面临巨大的困难和挑战。基于此问题，申请人创新地提出基于H离子增强吸附原理实现薄膜可控剥离的方法。本项目拟开展B掺杂SiGe薄层对注H离子增强吸附的机理研究，掌握H吸附行为与B掺杂SiGe吸附层的厚度、化学组成、结构、薄膜中的掺杂量等之间的依赖关系。此外，研究工作将重点分析注入H离子的运动、聚集过程，揭示其与薄膜内应力衍变、缺陷衍变之间的关联，阐明吸附特性的产生与作用机理。基于本项目的研究成果，形成薄膜厚度可控、剥离表面平滑的可控剥离新技术。本项研究工作是在前期研究积累基础上的延伸和重要拓展，项目的实施将为制备FDSOI材料提供理论依据和关键技术。
