本课题主要针对高性能碳化硅（112(—)0）面槽栅功率MOSFET器件所面临的外延材料和器件物理相关基础科学问题开展研究。以研究（112(—)0）面的SiC热氧化及SiO2/SiC界面缺陷分布与器件性能之间的规律关系和阐述相应的物理机理作为主要的研究内容，最终制备出（112(—)0）面的槽栅 MOSFET器件作为验证，研制出碳化硅（112(—)0）面槽栅功率MOSFET器件芯片，实现器件比导通电阻低于2mΩ∙cm2，器件击穿电压不低于1700，实现器件的BFOM（BV2/Ron-sp）值达到1000MW/cm2。
