1、灵敏度(常规)： 低质量数 Li(7): ≥50 Mcps/ppm； 中质量数 Y(89): ≥160 Mcps/ppm；高质量数Tl(205): ≥80 Mcps/ppm； 2、检测限(3sigma, 3秒积分)： 低质量数 Be(9): ≤0.5 ppt； 中质量数 In(115):≤0.1 ppt；高质量数 Bi(209): ≤0.1 ppt；3、氧化物干扰: CeO /Ce :≤1.5 %；4、双电荷干扰: Ce2 /Ce :≤3.0 %5、短期稳定性(RSD): ≤3% ；6、长期稳定性(RSD): ≤4% ；7、第三代八级杆碰撞/反应池碰撞池(ORS3)性能：As≤10ppt(在2%稀盐酸v/v中）；8、系统背景：9Be ≤0.5 cps；9信背比(115In/9Be)：≥400M；10、同位素比精度: RSD(107Ag/109Ag) ≤0.08%；11、质量轴稳定性：± 0.05 amu/24h 12、丰度灵敏度：低质量端: ≤5 x 10-；高质量端: ≤1 x 10-7。