本课题为利用硅集成电路工艺，在面掺杂浓度10（23）cm(-3)的n型硅片上生长MIS隧道结，研究其发光特性。SiO2两侧金属膜加电压（约5V），隧穿电子在结界面激发起等离极化激元（SPP），作动量补偿后，转换为光子辐射。测得发射光谱分布在449nm到740nm之间，峰值462.4,618.4,721.2nm，相对强度6：12：21，效率2.77×10（-4%）。其中462.4nm的是SiO2/n-Si界面的SPP模，它所对应的电子浓度高于掺杂值。按发光测得I-V曲线上的负阻现象，可用动态电荷积累假设来解释。分析了双势垒隧道结，观察到负阻、谱蓝移、效率提高等现象。按SPP→光的转换可逆，提出了双光纤 MIS的增强光输出结构。对粗糙度作了统计分析并对它影响结的发光关系用格林函数作了理论处理。 2100433B
