击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA
集电极允许电流IC：0.1（A）
集电极最大允许耗散功率PT：0.2（W）
插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。
贮存温度Tstg:-65~150℃
封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
功率特性：中功率
极性：NPN型
结构：扩散型
材料：硅(Si)
封装材料：塑料封装2100433B
