浸入式光刻原型实验在上世纪90年代开始陆续出现。1999年，使用257nm干涉系统制作出周期为89nm的密集图形。当时使用的浸入液是环辛烷。但因为当时对浸入液的充入、镜头的沾污、光刻胶的稳定性和气泡的伤害等关键问题缺乏了解，人们并未对浸入式光刻展开深入的研究。

2002年以前，业界普遍认为193nm光刻无法延伸到65nm技术节点，而157nm将成为主流技术。然而，157nm光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。这是由于绝大多数材料会强烈地吸收157nm的光波，只有CaF2勉强可以使用。但研磨得到的CaF2镜头缺陷率和像差很难控制，并且价格相当昂贵。雪上加霜的是它的使用寿命也极短，频繁更换镜头让芯片制造业无法容忍。

正当众多研究者在157nm浸入式光刻面前踌躇不前时，193nm浸入式光刻的概念被提出。在157nm波长下水是不透明的液体，但是对于193nm的波长则是几乎完全透明的。并且水在193nm的折射率高达1.44，而可见光只有1.33。如果把水这样一种相当理想的浸入液，配合已经十分成熟的193nm光刻设备，那么设备厂商只需做较小的改进，重点解决与水浸入有关的问题，193nm水浸式光刻机就近在咫尺了。同时，193nm光波在水中的等效波长缩短为134nm，足可超越157nm的极限。193nm浸入式光刻的研究随即成为光刻界追逐的焦点。2100433B