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2002年2月研发并量产二元、三元芯片、940nm红外芯片；
2004年03月研发量产红外850nm的芯片；
2008年3月成为量产光电耦合器厂家
2015年2月量产光电传感器
2016年光电耦合器产品系列化，长爬电距离光耦，MINI光耦、高速光耦研发量产
2018年研发量产可控硅光耦
2019年研发SSR与IGBT光耦
2020年获得国家高新技术认定证书；
