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电感耦合等离子刻蚀机技术指标

2022/07/16243 作者：佚名
导读：0 微米深硅刻蚀 约2.5微米独立汽坑宽 大于 1 微米光刻胶掩膜厚度或大约 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圆形的硅暴露面积小于 10% 刻蚀速度 2 微米/分钟 光刻胶的选择比: 50 : 1 SiO2 的选择比 100 : 1边壁角度: 90 度。

0 微米深硅刻蚀 约2.5微米独立汽坑宽 大于 1 微米光刻胶掩膜厚度或大约 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圆形的硅暴露面积小于 10% 刻蚀速度 2 微米/分钟 光刻胶的选择比: 50 : 1 SiO2 的选择比 100 : 1边壁角度: 90 度。

*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
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