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相变内存结合了DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性，被业界视为未来闪存和内存的替代品。
日前在英特尔公司总部，该公司闪存业务的首席技术官Doller向新闻界介绍了这种先进的内存技术。他说，从理想的角度说，人们需要一种能够保存数据的DRAM，而相变内存将满足这一需求。
相变内存的另外一个优点是，可以在不删除现有数据的情况下写入数据，这比如今的内存更为快捷。根据统计，相变内存的功耗只有现有闪存的一半，但是读写速度可以达到闪存的1000倍。
