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自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出来的。其基本结构见图示，参与导电的是InAlAs/InGaAs异质结形成的高迁移率二维电子气（2-DEG）；铁磁电极S和D具有相同的极化方向（即其中电子自旋的取向相同），以注入和收集自旋极化的电子；栅极电场使沟道中高速运动的电子的自旋发生进动或转动，当自旋变成反平行时即被D极排斥而不导电——D极排斥作用的强弱决定于自旋进动的程度，从而S-D电流受到栅电压的控制。
自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出来的。其基本结构见图示，参与导电的是InAlAs/InGaAs异质结形成的高迁移率二维电子气（2-DEG）；铁磁电极S和D具有相同的极化方向（即其中电子自旋的取向相同），以注入和收集自旋极化的电子；栅极电场使沟道中高速运动的电子的自旋发生进动或转动，当自旋变成反平行时即被D极排斥而不导电——D极排斥作用的强弱决定于自旋进动的程度，从而S-D电流受到栅电压的控制。 
