1.因为自旋FET是通过自旋的翻转来控制电流的，所以这种工作方法所需要的能量很低，而且速度也很快（比普通FET通过驱赶[耗尽]电子的方法要快得多）。
2.这种自旋FET结构促进了自旋电子器件的半导体化，从而可利用先进的微电子工艺技术、可融合自旋电子器件与光电子器件以及发展出新型的光学器件（如超快速开关, 可编程的全自旋电子型微处理器）；并且最终可望把逻辑、存储和通信等功能融合在一块芯片上, 成为新型的多功能电子器件。
3.发展半导体自旋电子器件可能是开发量子计算机等量子信息机器的切实可行的途径，因为量子位是相干叠加状态, 自旋电子量子位（自旋向上和自旋向下的态的叠加状态）比起基于电子电荷的量子位, 在相干性(维持相干叠加状态的能力)上可获得较长的相干时间（由于自旋之间的作用力很弱, 而且是短程力），并且采用n-型半导体可排除空穴自旋的不良影响。
