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转移特性曲线增强型MOSFET的转移特性曲线

2022/07/16168 作者：佚名
导读：对于增强型MOSFET，在饱和区内，不同的U(DS)下测得的转移特性曲线基本重合，故转移特性曲线以U(DS)=10V的测试条件为准。如概述左图所示，I(D)=0的右端点即为增强型MOSFET的开启电压U(GS(th))。转移特性曲线近似表示式如右所示。 其中，U(GS)>U(GS(th))，I(D0)是U(GS)=2U(GS(th))时的I(D)值。

对于增强型MOSFET，在饱和区内，不同的U(DS)下测得的转移特性曲线基本重合，故转移特性曲线以U(DS)=10V的测试条件为准。如概述左图所示，I(D)=0的右端点即为增强型MOSFET的开启电压U(GS(th))。转移特性曲线近似表示式如右所示。

其中，U(GS)>U(GS(th))，I(D0)是U(GS)=2U(GS(th))时的I(D)值。

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