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由于JFET和耗尽型MOSFET的漏、源极间本就存在导电沟道，在U(DS)为正的情况下即可产生I(D)，故两者均属于耗尽型FET，转移特性可以一起讨论。
如概述右图所示，在U(GS)=0处I(D)等于饱和漏极电流I(DSS)，在I(D)=0处U(GS)=U(GS(off))。对于耗尽型FET，U(GS(off))为负，故在U(GS(off))≤U(GS)≤0范围内的放大区中，转移特性曲线近似表示式如右所示。2100433B
如概述右图所示，在U(GS)=0处I(D)等于饱和漏极电流I(DSS)，在I(D)=0处U(GS)=U(GS(off))。对于耗尽型FET，U(GS(off))为负，故在U(GS(off))≤U(GS)≤0范围内的放大区中，转移特性曲线近似表示式如右所示。2100433B
