常用于金氧半场效晶体管的电路符号有多种形式，最常见的设计是以一条垂直线代表沟道（Channel），两条和沟道平行的接线代表源极（Source）与漏极（Drain），左方和沟道垂直的接线代表栅极（Gate）。有时也会将代表沟道的直线以虚线代替，以区分增强型（enhancement mode，又称增强式）金氧半场效晶体管或是耗尽型（depletion mode，又称耗尽式）金氧半场效晶体管。

由于集成电路芯片上的金氧半场效晶体管为四端组件，所以除了源极（S）、漏极（D）、栅极（G）外，尚有一基极（Bulk或是Body）。金氧半场效晶体管电路符号中，从沟道往右延伸的箭号方向则可表示此组件为n型或是p型的金氧半场效晶体管。箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从沟道指向基极端的为p型的金氧半场效晶体管，或简称PMOS（代表此组件的沟道为p型）；反之则代表基极为p型，而沟道为n型，此组件为n型的金氧半场效晶体管，简称NMOS。在一般分布式金氧半场效晶体管组件中，通常把基极和源极接在一起，故分布式金氧半场效晶体管通常为三端组件。而在集成电路中的金氧半场效晶体管通常因为使用同一个基极（common bulk），所以不标示出基极的极性，而在PMOS的栅极端多加一个圆圈以示区别。

几种常见的MOSFET电路符号，加上结型场效应管一起比较：在金氧半场效晶体管符号中，基极端和源极端均接在一起，一般分立元件的MOSFET几乎均如此，但在集成电路中的金氧半场效晶体管则并不一定是这样连接。通常一颗集成电路芯片中相同沟道的金氧半场效晶体管都共享同一个基极，故某些情况下的金氧半场效晶体管可能会使得源极和基极并非直接连在一起，例如串叠式电流源（cascode current source）电路中的部分NMOS就是如此。基极与源极没有直接相连的金氧半场效晶体管会出现衬底效应（body effect）而部分改变其工作特性，将在后面的章节中详述。