金属氧化物半导体场效应晶体管双栅极金氧

双栅极（dual-gate）金氧半场效晶体管通常用在射频集成电路中，这种金氧半场效晶体管的两个栅极都可以控制电流大小。在射频电路的应用上，双栅极金氧半场效晶体管的第二个栅极大多数用来做增益、混频器或是频率转换的控制。

金属氧化物半导体场效应晶体管耗尽式

一般而言，耗尽式（depletion mode）金氧半场效晶体管比前述的加强式（enhancement mode）金氧半场效晶体管少见。耗尽式金氧半场效晶体管在制造过程中改变掺杂到沟道的杂质浓度，使得这种金氧半场效晶体管的栅极就算没有加电压，沟道仍然存在。如果想要关闭沟道，则必须在栅极施加负电压（对NMOS而言）。耗尽式金氧半场效晶体管是属于“常闭型”（normally-closed，ON）的开关，而相对的，加强式金氧半场效晶体管则属于“常断型”（normally-open，OFF）的开关。

金属氧化物半导体场效应晶体管NMOS逻辑

同样驱动能力的NMOS通常比PMOS所占用的面积小，因此如果只在逻辑门的设计上使用NMOS的话也能缩小芯片面积。不过NMOS逻辑虽然占的面积小，却无法像CMOS逻辑一样做到不消耗静态功率，因此在1980年代中期后已经渐渐退出市场，以CMOS为主流。

金属氧化物半导体场效应晶体管功率金氧

功率晶体管单元的截面图。通常一个市售的功率晶体管都包含了数千个这样的单元。

主条目：功率金氧半场效晶体管

功率金氧半场效晶体管（Power MOSFET）和前述的金氧半场效晶体管组件在结构上就有着显著的差异。一般集成电路里的金氧半场效晶体管都是平面式（planar）的结构，晶体管内的各端点都离芯片表面只有几个微米的距离。而所有的功率组件都是垂直式（vertical）的结构，让组件可以同时承受高电压与高电流的工作环境。一个功率金氧半场效晶体管能耐受的电压是杂质掺杂浓度与n-type外延层（epitaxial layer）厚度的函数，而能通过的电流则和组件的沟道宽度有关，沟道越宽则能容纳越多电流。对于一个平面结构的金氧半场效晶体管而言，能承受的电流以及击穿电压的多寡都和其沟道的长宽大小有关。对垂直结构的金氧半场效晶体管来说，组件的面积和其能容纳的电流大约成正比，外延层厚度则和其击穿电压成正比。

值得一提的是采用平面式结构的功率金氧半场效晶体管也并非不存在，这类组件主要用在高级的音响放大器中。平面式的功率金氧半场效晶体管在饱和区的特性比垂直结构的对手更好。垂直式功率金氧半场效晶体管则多半用来做开关切换之用，取其导通电阻（turn-on resistance）非常小的优点。

金属氧化物半导体场效应晶体管DMOS

DMOS是双重扩散金氧半场效晶体管（Double-Diffused金氧半场效晶体管）的缩写，大部分的功率金氧半场效晶体管都是采用这种制作方式完成的。