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由于Ⅲ一V族化合物半导体中的磷化铟、磷化镓等在熔点时具有很高的离解压，因此从熔体中生长单晶的工艺变得十分困难。自从出现液封直拉法后，又进一步改进炉子的机械结构强度，解决了由于炉内充高压惰性气氛带来的高压气体密封问题。采用氧化硼为密封剂，进行磷化镓等直拉单晶生长，这种技术称为高压液封直拉法。
