高压液封直拉法是用高压单晶炉拉制GaAs单晶，拉晶时炉内惰性气体压力为3-6兆帕，B2O3覆盖层的厚度为10-20毫米。由于其合成温度低，时间短，则可有效地控制硅及其他杂质的污染，使半绝缘GaAs堆晶的迁移率大幅度提高。而且，这一方法还可制取较大直径的圆形<100>晶片。工艺中控制砷/镓比是获得半绝缘不掺杂质单晶的关键。
高压液封直拉法，可提高单晶纯度，扩大<100>单晶圆片直径，简化生产工艺，降低成本。比水平法和常压直拉法的单晶，更能符合微波场效应器件和超高速大容量集成电路的需要。
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