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B-H分析仪主要技术指标

2022/07/16207 作者:佚名
导读:B-H 测量; Pc测量;μ测量 。 B-H 测量:最大磁通密度(Bm)、剩余磁通密度(Br)、最大磁场(Hm)、矫顽力(Hc)、矩形比(Br/Bm)、振幅比磁导率(μa)、功率损耗(Pc,Pcv,Pcm)、电流/电压相位角(θ)、总磁通变化(2øm) Pc测量:最大磁通密度(Bm)、剩余磁通密度(Br)、最大磁场(Hm)、矫顽力(Hc)、振幅比磁导率(μa)、功率损耗(Pc,Pcv,Pcm)、相

B-H 测量; Pc测量;μ测量 。

B-H 测量:最大磁通密度(Bm)、剩余磁通密度(Br)、最大磁场(Hm)、矫顽力(Hc)、矩形比(Br/Bm)、振幅比磁导率(μa)、功率损耗(Pc,Pcv,Pcm)、电流/电压相位角(θ)、总磁通变化(2øm)

Pc测量:最大磁通密度(Bm)、剩余磁通密度(Br)、最大磁场(Hm)、矫顽力(Hc)、振幅比磁导率(μa)、功率损耗(Pc,Pcv,Pcm)、相位角(θ)、皮相功率(VA)

μ测量:最大磁通密度(Bm)、最大磁场(Hm)、阻抗磁导率(μz)、复数磁导率(μ,μ'')、振幅比磁导率(μa)、功率损耗(Pc)、相位角(θ)、损耗系数(tanσ)、电感(L)、电阻(R)、阻抗(Z)、品质因数(Q)2100433B

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