1. 反应腔室本底真空： < 1 x 10-6 mbar (1x 10-4 Pa)，抽真空2小时后 2. 反应腔室漏率： < 5 x 10-4 mbar？l/s 3. 预真空室本底真空： < 1 x 10-1 mbar (10 Pa) 4. 预真空室漏率： < 5 x 10-4 mbar？l/s 5. 样片操作： 不同设置：样片进/出 6. 气路系统： 测试所有质量流量计（设定值10%, 50%, 90%） 7. 压力控制： 压力计/控制阀，不同压力 8. 下电极温度控制： 不同设置，-30oC~ 200oC（带循环冷却器Chiller）或RT~ 250oC（外接冷却水） 9. 等离子体测试： 不同设置（Ar或N2） 10. 反射功率： ≤ 1%，ICP功率 ≥ 500 W≤ 5 W，ICP功率 < 500 W 11. 其他： 安全互锁、运行工艺处方（Recipe）等 12. SiC刻蚀工艺 Cr掩膜 刻蚀深度：≥ 2 μm 刻蚀速率：≥ 400 nm/min 选择比：≥ 40:1 （SiC: Cr） 片上不均匀性：在50 mm范围内 ≤。