IRF630简介
2022/07/16120
作者：佚名
导读：基本参数 漏极电流, Id 最大值：9A 电压, Vds 最大：200V 开态电阻, Rds(on)：0.4ohm 电压 @ Rds测量：10V 电压, Vgs 最高：3V 功率, Pd：100W 封装类型, 替代：SOT-78B 引脚节距：2.54mm 时间, trr 典型值：170ns 晶体管数：1 晶体管类型：MOSFET 满功率温度：25°C 电容值, Ciss 典型值：540pF 电流,
基本参数
漏极电流, Id 最大值：9A
电压, Vds 最大：200V
开态电阻, Rds(on)：0.4ohm
电压 @ Rds测量：10V
电压, Vgs 最高：3V
功率, Pd：100W
封装类型, 替代：SOT-78B
引脚节距：2.54mm
时间, trr 典型值：170ns
晶体管数：1
晶体管类型：MOSFET
满功率温度：25°C
电容值, Ciss 典型值：540pF
电流, Idm 脉冲：36A
表面安装器件：通孔安装
针脚格式：1G 2 插口 D 3S
阈值电压, Vgs th 最低：2V
阈值电压, Vgs th 最高：4V
*文章为作者独立观点，不代表造价通立场，除来源是“造价通”外。
关注微信公众号造价通（zjtcn_Largedata），获取建设行业第一手资讯
