气体探测器均以气体作为探测介质，内部多充有以多种惰性气体为主混合气体，并在探测器两极加上电压小室。其小室的形状大小结构因气体探测器的不同会有加大差别。在探测器使用时我们多将内部气体大气压加至2到3个大气压，这样可以有效提高气体探测器的探测效率。气体探测器的工作原理是通过收集电离电荷获取核辐射信息来实现的，因为射线粒子在灵敏体积内产生电子离子对，在电离室中电子离子对由于收集电场的作用分别向内壁和中心丝运动，从而通过探测器捕捉到所需信息。气体探测器不同类型的电离室在结构上基本相同.其典型结构分为平板型与圆柱型，如图2所示。在这些结构类型中均包括：
高压极(K)：正高压或负高压；
收集极(C)：与测量仪器相联的电极，处于与地接近的电位；
保护极(G)：又称保护环，处于与收集极相同的电位；
负载电阻(RL)：电流流过时形成电压信号。
气体探测器具有制备简单、性能可靠、成本低廉、使用方便等优点，有广泛的应用。20世纪70年代以来，气体探测器有很大发展，在高能物理和重离子物理实验中获得新的应用，并应用于核医学、生物学、天体物理、凝聚态物理和等离子体物理等领域。
在介绍闪烁探测器之前，必须先了解光脉冲，当闪烁物质受到放射线或其他高能粒子辐照时会激发阻止介质原子，被激发的原子由激发态退激回到基态时会形成荧光脉冲[7]。闪烁探测器正是利用某些物质在核辐射的作用下会发光的这一特性工作的。闪烁探测器主要是由被封闭在一个不透明的外壳里的闪烁体、接收光的收集系统、光—电子转换的光探测光电器件（如光电管、光电倍增管、光电二极管），以及光电探测器后续电路输出系统等组合而成。这些器件组合在一起被统称为闪烁探测器系统。闪烁探测器的结构示意图如图3所示。
闪烁探测器的工作原理是：放射线入射到闪烁体后发出荧光；荧光光子被收集到光电倍增管的光阴极，通过光电效应转换出光电子；光电子通过电子运动并在光电倍增管各级间倍增，最后在阳极输出回路输出信号。闪烁探测器的探测动态范围很宽，对能量在1eV到1GeV范围内的辐射粒子都适用[8]，如今己成为最常用的探测器，在高能物理学、地球物理学、辐射医学、放射化学等众多领域都得到了广泛的应用。其主要应用类型种类可分为：能谱测量、剂量测量、强度测量、时间测量。闪烁体探测器主要具备以下几方面的优点：
其外形结构和大小的制作相对随意，可以做成任意大小和形状；
探测效率高，适合于测量不带电粒子，如γ射线、X射线和中子等；三是时间特性好，有的探测器（如塑料闪烁体、BaF2）能够实现ns的时间分辨。基于以上优点，闪烁体探测器被广泛应用于空间X射线探测领域。
半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。锗和硅是我们最通用的半导体探测材料，其基本原理与气体电离室相类似。晶体计数器可以认为是半导体探测器的前身，20世纪初期人们发现在核辐射下可以通过某些固体电介质产生电导现象，在这之后金刚石、氯化银等晶体计数器又相继被人们发明。可是我们至今无法解决晶体极化效应的问题，所以目前可以达到实用水平的只有金刚石探测器。20世纪中期有人在使用α粒子照射锗半导体点接触型二极管时，发现有电脉冲输出。1958年第一个金硅面垒型探测器被设计完成，直到20世纪60年代初期锂漂移型探测器被研制成功后，半导体探测器才得到迅速的发展。
半导体探测器的工作原理如图4所示。将工作电压加在电极K和A上后，固体介质内部会形成很强的电场区。这时进入介质后的带电粒子,因为电离作用从而会产生电子——空穴对,并且在强电场作用下,电子和空穴将各自按照自身相反的电极方向迅速移动,并产生感应电荷,随之形成信号脉冲输出在负载RL上。由于半导体产生的电信号同入射粒子的能量损失成正比关系，所以我们可以由所测到的电信号计算出入射粒子的能量大小及其它相关性质。半导体探测器的优缺点均十分明显，其能量分辨率高，探测效率高（可与闪烁探测器相比拟），体积小，较快的响应时间等优点是其他设备所无法比拟的。但同时探测器尺寸无法随意增大，器件本身容易被射线损伤，价格偏高等劣势，也严重制约了其发展与应用。
