1.一种太阳能电池片加工工艺,其特征在于包括以下步骤:
A、对需要加工的硅片进行检测,去除不合格硅片;
B、将经过检测的合格硅片放入碱性溶液中进行表面制绒处理,并将制绒处理后残余的碱性废液收集起来;
C、将制绒处理过的硅片放入扩散设备中进行扩散制结处理;
D、将经过扩散制结处理的硅片放入酸性溶液中进行去磷硅玻璃处理,并将去磷硅玻璃处理后残余的酸性废液收集起来;
E、对扩散制结后得到的硅片进行湿法刻蚀处理;先使用氢氟酸对扩散制结后得到的硅片的各个表面进行润洗并将润洗后残余的氢氟酸废液收集起来,将步骤D中得到的去磷硅玻璃太阳能电池片清洗后;然后将硅片放入硝酸溶液中进行刻蚀并将刻蚀后残余的硝酸废液收集起来,接着用碱性溶液对刻蚀后的硅片进行清洗并将清洗后残余的碱性溶液收集起来,最后利用纯水对硅片进行清洗并进行干燥处理;
F、利用PECVD设备在经过湿法刻蚀处理的硅片表面制备氮化硅反射层;
G、将镀有减反射膜的硅片采用丝网印刷的方式在硅片的上下表面印制正、负电极;
H、将经过丝网印刷的硅片放入烧结设备中进行烧结处理后得到太阳能电池片;
I、将不合格的太阳能电池片放入收集起来的碱性废液中除去太阳能电池片铝背场的部分铝层,再将经过碱性废液浸泡的不合格太阳能电池片放入收集起来的酸性废液中除去太阳能电池片的剩余铝层得到去铝太阳能电池片以及含铝废液,含铝废液通过化学方式转化为氧化铝;去铝太阳能电池片经过清洗后,浸泡在收集起来的硝酸废液中将去铝太阳能电池片表面的银浸出,得到去银太阳能电池片以及含银酸液;将去银太阳能电池片放入收集起来的氢氟酸废液中除去去银太阳能电池片表面的氮化硅反射层,得到去氮化硅太阳能电池片清洗后得到纯净的硅片,所述硅片经过步骤A至H后被加工成合格的太阳能电池片;含银酸液中加入铜粉制成银包铜粉用于制备电子浆料,所述电子浆料用于步骤G中丝网印刷的浆料。
2.如权利要求1所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述含银酸液中加入铜粉制成银包铜粉的具体方法如下所述:在含银酸液中加入铜粉得到固液混合物,所述含银酸液与铜粉的重量比为1.5~3,将固液混合物抽入研磨设备中循环研磨20~50分钟即可得到银包铜粉。
3.如权利要求2所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述含银酸液与铜粉的重量比为2。
4.如权利要求3所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述铜粉的粒径为2~3微米。
5.如权利要求4所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述固液混合物抽入研磨设备中循环研磨的时间为30分钟。
6.如权利要求5所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述含银酸液的温度为20℃。
7.如权利要求1所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述步骤B中收集起来的碱性废液浓度为5%。
8.如权利要求7所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述步骤D中收集起来的酸性废液浓度为5%。
9.如权利要求8所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述步骤E中收集起来的氢氟酸废液浓度为0.5%。
10.如权利要求9所述的太阳能电池片加工工艺,其特征在于:所述步骤E中收集起来的硝酸废液浓度为1.5%。