8inch硅晶圆高温氧化与SOI晶圆高温加固；工作温度：600~1200 ℃；恒温区长度：860 mm；恒温区控温精度：±1℃；升降温速度：max：5 ℃/min；氮气（大流量）：Max：30 SLM(升/分钟); 氮气（小流量）： Max：300 SCCM(毫升/分钟)；氧气（大流量）：Max：20 SLM(升/分钟)；氧气（小流量）： Max：1000 SCCM(毫升/分钟)；氢气： Max：20 SLM(升/分钟)；Trans_LC Carrier： 氮气(1 SLM)(升/分钟)；氧化层均匀性：干氧300 Å,1000 Å,1500 Å2%；湿氧0.5 µm,1.0 µm&2.0 µm2%；金属要求： Cu/Cr/Fe/Ni/Al/Zn/Na/Ca5E10 atmos/CM2；颗粒要求：Particle 30ea (0.16µm) per wafer。
