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用于8inch硅晶圆高温氧化与SOI晶圆高温加固;工作温度:600~1200 ℃;恒温区控温精度:±1℃;升降温速度:max:5 ℃/min;可通入氮气、氧气、氢气: 、Trans_LC Carrier等工艺气体;氧化层均匀性:干氧、湿氧氧化层均优于2%;表面金属5E10 atmos/CM2;表面颗粒:Particle 30ea (0.16µm) per wafer。 2100433B