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临界电压随机掺杂物波动的依赖性

2022/07/16210 作者：佚名
导读：随机掺杂波动（RDF）是由于注入杂质浓度的变化而导致的工艺变化的一种形式。在MOSFET晶体管中，沟道区域中的RDF可以改变晶体管的属性，特别是阈值电压。在较新的工艺技术中，RDF具有较大的影响，因为掺杂剂的总数量较少。 正在进行研究以抑制在相同制造工艺中的器件之间的阈值电压变化的掺杂物波动 。2100433B

随机掺杂波动（RDF）是由于注入杂质浓度的变化而导致的工艺变化的一种形式。在MOSFET晶体管中，沟道区域中的RDF可以改变晶体管的属性，特别是阈值电压。在较新的工艺技术中，RDF具有较大的影响，因为掺杂剂的总数量较少。

正在进行研究以抑制在相同制造工艺中的器件之间的阈值电压变化的掺杂物波动 。2100433B

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