译者序

前言

导言

第1部分半导体物理

第1章半导体物理学和半导体性质概要

1.1引言

1.2晶体结构

1.3能带和能隙

1.4热平衡时的载流子浓度

1.5载流子输运现象

1.6声子、光学和热特性

1.7异质结和纳米结构

1.8基本方程和实例

第2部分器件的基本构件

第2章p-n结二极管

2.1引言

2.2耗尽区

2.3电流-电压特性

2.4结击穿

2.5瞬变特性与噪声

2.6端功能

2.7异质结

第3章金属-半导体接触

3.1引言

3.2势垒的形成

3.3电流输运过程

3.4势垒高度的测量

3.5器件结构

3.6欧姆接触

第4章金属-绝缘体-半导体电容

4.1引言

4.2理想MIS电容

4.3硅MOS电容

第3部分晶体管

第5章双极晶体管

5.1引言

5.2静态特性

5.3微波特性

5.4相关器件结构

5.5异质结双极晶体管

第6章MOS场效应晶体管

6.1引言

6.2器件的基本特性

6.3非均匀掺杂和埋沟器件

6.4器件按比例缩小和短沟道效应

6.5MOSFET的结构

6.6电路应用

6.7非挥发存储器

6.8单电子晶体管

第7章JFET，MESFET和MODFET器件

7.1引言

7.2JFET和MODFET

7.3MODFET

第4部分负阻器件和功率器件

第8章隧道器件

8.1引言

8.2隧道二极管

8.3相关的隧道器件

8.4共振遂穿二极管

第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管

第10章转移电子器件和实空间转移器件

第11章晶闸管和功率器件

第5部分光学器件和传感器

第12章发光二极管和半导体激光器

第13章光电探测器和太阳电池

第14章传感器

附录A.符号表

B.国际单位制

C.单位词头

D.希腊字母表

E.物理常数

F.重要半导体的特性

G.Si和GaAs的特性

H.SiO2和Si3N4的特性 2100433B