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离子注入设备主要用于制备IBC电池背面的叉指状间隔排列的P区和N区。由于离子注入技术的各向异性，投射深度与剂量可精确控制等特点，其可以精确地控制掺杂浓度和结深，避免了炉管扩散中存在的扩散死层和侧向扩散，具有优秀的图案化注入精度。离子注入后，需要进行一步高温退火过程来将杂质激活并推进到硅片内部，同时修复由于高能离子注入所引起的硅片表面晶格损伤。相比于其他技术，离子注入技术在IBC电池背面制备呈叉指状间隔排列的P区和N区具有极大的技术优势。 2100433B
