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基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺有什么

2024-05-17

从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺有什么不同

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从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基 板工艺有什么不同 氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板都同属于陶瓷基板, 他们的制作工艺大致是一样 的,都有都才可以采用薄膜工艺和厚膜工艺, DBC工艺、 HTCC工艺和 LTCC工艺,那 么不同的什么呢? 氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的不同主要是因为基材的性能和结构决定了, 他们 烧结温度的不同。 氮化铝陶瓷基板的结构和性能原理: 1、氮化铝陶瓷 (Aluminium Nitride Ceramic) 是以氮化铝 (AIN) 为主晶相的陶瓷。 2、 AIN晶体以〔 AIN4 〕四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属 六方晶系。 3、化学组成 AI 65.81% ,N34.19% ,比重 3.261g/cm3 ,白色或灰白色,单晶 无色透明,常压下的升华分解温度为 2450 ℃。 4、为一种高温耐热材料。热膨胀系数 (4.0-6.0)X10(-6)

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氧化铝陶瓷基板工艺研究

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本文主要介绍了流延法生产氧化铝陶瓷基板的工艺。研究了原料粒度分布对基板微观结构的影响,用流延法制备了96%氧化铝陶瓷基板,并对基板表面被釉,试验了基板的性能,研究了基板生产过程中一些关键的因素。

铝和氧化铝的润湿性及氧化铝陶瓷敷铝基板 铝和氧化铝的润湿性及氧化铝陶瓷敷铝基板 铝和氧化铝的润湿性及氧化铝陶瓷敷铝基板
铝和氧化铝的润湿性及氧化铝陶瓷敷铝基板

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随着大功率模块与电力电子器件的发展,陶瓷表面金属化已得到广泛应用。直接敷铝技术是基于氧化铝陶瓷基板发展起来的一种陶瓷表面金属化技术。在介绍直接敷铝基板的制备方法和性能特点的基础上,重点讨论影响al-al2o3润湿性能的因素以及这些因素对氧化铝陶瓷基板敷铝过程的影响,同时展望了dab基板在功率电子系统、汽车工业等方面的应用前景。

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十年专注pcb快板,中高端中小批量生产www.***.*** 氮化铝陶瓷基板有哪些优势和参数? 陶瓷板中,应用广泛是分别是氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板,那么氮化铝陶瓷基板是什 么,有什么优势,有哪些参数? 氮化铝陶瓷是一种以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷材料,再在氮化铝陶瓷基片上面蚀刻金属电路, 就是氮化铝陶瓷基板了。对用与大功率,因其有很强的耐热性,抗硬性,绝缘性。今天具体看一下, 氮化铝陶瓷基板有哪些优势,参数都是哪些? 1、氮化铝陶瓷英文:aluminiumnitrideceramic,是以氮化铝(ain)为主晶相的陶瓷。 2、ain晶体以(ain4)四面体为结构单元共价键化合物,具有纤锌矿型结构,属六方晶系。 3、化学组成ai65.81%,n34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压 十年专注pc

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氧化铝陶瓷制作工艺简介

氧化铝陶瓷制作工艺简介 氧化铝陶瓷目前分为高纯型与普通型两种。高纯型氧化铝陶瓷系al2o3 含量在99.9%以上的陶瓷材料,由于其烧结温度高达1650—1990℃, 透射波长为1~6μm,一般制成熔融玻璃以取代铂坩埚:利用其透光性及可耐 碱金属腐蚀性用作钠灯管;在电子工业中可用作集成电路基板与高频绝缘材料。 普通型氧化铝陶瓷系按al2o3含量不同分为99瓷、95瓷、90瓷、85 瓷等品种,有时al2o3含量在80%或75%者也划为普通氧化铝陶瓷系 列。其中99氧化铝瓷材料用于制作高温坩埚、耐火炉管及特殊耐磨材料,如陶 瓷轴承、陶瓷密封件及水阀片等;95氧化铝瓷主要用作耐腐蚀、耐磨部件;8 5瓷中由于常掺入部分滑石,提高了电性能与机械强度,可与钼、铌、钽等金属 封接,有的用作电真空装置器件。其制作工艺如下: 一粉体制备: 将入厂的氧化铝粉按照不同的产品要求与不同成型工艺制

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浅析氧化铝陶瓷制作工艺

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通过化学镀铜在氧化铝陶瓷基板表面实现了金属化,采用sem研究了镀铜层表面微观形貌以及热处理的影响,检测分析了金属化镀层附着力。结果表明:通过控制镀液中铜离子浓度以及铜沉积速率,在基板表面可形成均匀致密的铜金属化层;热处理后进一步提高镀层致密化和导电性,其方阻由3.6mω/□降为2.3mω/□。划痕法测试表明镀铜层与氧化铝陶瓷基板结合紧密无起翘,可以满足敷铜基板的要求。

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氧化铝陶瓷的低温烧结技术

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氧化铝陶瓷的低温烧结技术 氧化铝陶瓷是一种以al2o3为主要原料,以刚玉(α—al 2o3)为主晶相的陶瓷材料。因其具有机械强度高、硬度大、高频 介电损耗小、高温绝缘电阻高、耐化学腐蚀性和导热性良好等优良综 合技术性能,以及原料来源广、价格相对便宜、加工制造技术较为成 熟等优势,氧化铝陶瓷已被广泛应用于电子、电器、机械、化工、纺 织、汽车、冶金和航空航天等行业,成为目前世界上用量最大的氧化 物陶瓷材料。然而,由于氧化铝熔点高达2050℃,导致氧化铝陶 瓷的烧结温度普遍较高(参见表一中标准烧结温度),从而使得氧化 铝陶瓷的制造需要使用高温发热体或高质量的燃料以及高级耐火材 料作窑炉和窑具,这在一定程度上限制了它的生产和更广泛的应用。 因此,降低氧化铝陶瓷的烧结温度,降低能耗,缩短烧成周期,减少 窑炉和窑具损耗,从而降低生产成本,一直是企业所关心和急需解决 的重要课题。 目前,对氧化铝

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低温烧结氧化铝陶瓷

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氧化铝陶瓷片的散热原理是什么

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1 氧化铝陶瓷片的散热原理是什么 氧化铝陶瓷片制品是目前应用较广泛的一种新型精密陶瓷、电子工业陶瓷 片、功能陶瓷产品。由于氧化铝陶瓷片原料昂贵和形成工艺的特殊性,目前氧化 铝陶瓷片主要用于高技术,如冶金、化工、电子、国防、航天及核技术等高科技 领域。 氧化铝陶瓷片属于特种陶瓷,具有高强度、高硬度、抗磨损、耐腐蚀、耐高 温、绝缘等优异特性,备受多种行业关注,在集成电路芯片和航空光元器件等方 面拥有其他导热绝缘材料无法比拟的优势。 目前,市场对氧化铝陶瓷散热片的需求日益增大,在暖气片散热原理大受追 捧的同时,也催生了散热片原理公司的快速发展。散热片的原理等一系列相关经 营的公司应运而生,并得到了迅猛的发展。 接下来就让小编带你来看看导热绝缘材料的相关情况吧~带你了解导热绝缘 材料~ 氧化铝陶瓷在整个陶瓷行业中的应用较为广泛,在性能上也属于非常优越。 其导热、绝缘、散热已是基本

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氮化铝陶瓷基板制作技术有哪些关键问题 氮化铝陶瓷基板在大功率器件领域,因其导热率而被市场受用。那么今 天天小编要分享的氮化铝陶瓷基板制作技术的关键词问题。 一,氮化铝基板简介和应用概况 1.氮化铝材料有哪些突出特性 氮化铝是氮和二元系列中唯一稳定的化合物,具有高的熔点和良好的导热 特性。 晶形:六方晶系钙钛矿型 分解温度:2500摄氏度 理论热导率:320w/m.k 导热率是氧化铝的7倍,高温导热优于氧化铍; 热膨胀系数:与硅热膨胀系数匹配 电特性:高电绝缘,低介电常数;耐腐蚀特性:对熔融金属有优良的耐腐 蚀特殊性。 无毒,高纯, 综合性能优异的电子封装材料。 2,氮化铝应用背景。 氮化铝陶瓷覆铜板满足高压igbt模块,广泛应用于高铁、电动汽车、智能 电网和新能源等“绿色经济”。氮化铝陶瓷封装基板满足大功率led芯片散热 的需求,在汽车大灯、室外照明、舞台灯等高速

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流延法是一种生产电子陶瓷基板广泛使用的先进工艺方法。本文分析了氧化铝原料杂质含量、结晶形貌、α-相转化率、粒度分布等对流延工艺及陶瓷基板的质量影响,并提出了适用流延法陶瓷基板用氧化铝原料性能指标。

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黑色氧化铝陶瓷制备与介电性能的研究

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黑色氧化铝陶瓷制备与介电性能的研究 4.8

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采用正交试验法对黑色氧化铝陶瓷实验配方进行优化;采用一次、二次合成法分别制备了黑色氧化铝陶瓷;对黑色氧化铝陶瓷进行了xrd物相分析、烧结体断面sem分析,测试了烧结体的体积密度、体积电阻率、介电常数和介电损耗。结果表明,黑色氧化铝陶瓷最佳配方为:al2o391wt.%、滑石2.0wt.%、fe2o33wt.%、coo0.5wt.%、nio1wt.%、mno22.5wt.%;一次、二次合成法制备的黑色氧化铝陶瓷的体积密度分别为3.71g/cm3、3.69g/cm3,体积电阻率分别为6.8×1012ω·cm、7.1×1012ω·cm,介电常数分别为18.6、18.8,介电损耗分别为0.015、0.014。

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氮化铝陶瓷基板在高功率LED中应用研究

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随着led光源向高功率、集成化方向发展,散热基板对于提高器件的发光效率、降低结温、提高器件的可靠度和寿命起着十分重要的作用。本文选择厚度为0.4mm的氮化铝(aln)作为封装基板材料,结合磁控溅射镀膜、平面丝网印刷和光刻等半导体工艺技术,在aln基板表面完成线路设计并增加反光层。通过力学性能测试、表面反光层的反射率表征和光源老化测试,结果显示在1000小时老化后,aln陶瓷基板上封装的光源在色温漂移、发光效率衰减和可靠性等方面都明显要好于直接将芯片绑定金属基板上的光源。同时,从晶格失配与热失配的角度分析了aln陶瓷基板在高功率led光源封装中的优势。

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MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

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通过实验优化aln(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧w(钨)导体浆料性能及aln多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对aln多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用aln流延生瓷片与w高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的aln多层陶瓷基板,其热导率为190w/(m·k),线膨胀系数为4.6106℃1(rt~400℃),布线层数9层,w导体方阻为9.8m,翘曲度为0.01mm/50mm,完全满足高功率mcm的使用要求。

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本文讨论了氮化铝陶瓷基板获得高热导率的基本原理,介绍了批量生产氮化铝陶瓷基板的控制因素,包括原料选择、排胶、烧结气氛控制等。

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氧化铝陶瓷及其金属化技术

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以商业α-al_2o_3粉体为原料,mgo为烧结助剂,采用放电等离子烧结技术(sps)制备亚微米晶氧化铝陶瓷.系统研究了烧结温度、烧结助剂含量对亚微米晶氧化铝陶瓷的致密化过程及显微结构的影响.分析结果表明,1250℃以及0.05wt%分别是最佳的烧结温度和烧结助剂含量;在此条件下获得的亚微米晶氧化铝陶瓷,其相对密度达到99.8%td(theoreticaldensity),平均晶粒尺寸约0.68μm,显微硬度(hv5)达到20.75gpa,在3~5μm中红外范围内直线透过率超过83%.当mgo掺杂量超过0.1wt%时,第二相mgal_2o_4形成,引起光散射,降低红外透过率.

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非对称氧化铝陶瓷膜微滤管的制备

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本实验采用固态粒子烧结法和溶胶-凝胶法,在以α-al2o3为主要原料的圆形多通道管式陶瓷支撑体上成功地制备出了性能良好al2o3非对称复合陶瓷膜微滤管。通过sem、epma分析,微滤陶瓷管膜层表面中有均布的气孔、窄的孔径分布。并探讨了挤出工艺制度、镀膜工艺制度、热处理制度对制备非对称陶瓷膜微滤管性能的影响。

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钠硫电池用β″--氧化铝陶瓷的研制

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β″-al2o3陶瓷在钠硫电池中,兼具固体电解质和隔膜功能,其电阻对钠硫电池的性能影响很大。以氧化铝室的异丙醇悬浊液为电泳液,添加不同量的17-99号pva作为成膜助剂,在30v的电压条件下电泳沉积4min,在1580℃下烧结10min制得β″-al2o3陶瓷。结果表明pva用量(质量分数)为0.3%时制得的β″-al2o3结构紧密、电导率最优。

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广州昂泰电子有限公司 __________________________________ 氧化铝陶瓷片性能参数表 项目单位氧化铝96%a12o3 密度g/cm333.92 吸水率%0 热膨胀系数10-6/k8.5 杨氏弹性模量gpa340 泊松比/0.22 硬度(hv)mpa1650 弯曲强度(室温)mpa310 弯曲强度(700°c)mpa230 抗压强度(室温)mpa2200 断裂韧性mpa'm??4.2 导热率(室温)w/m.k25 绝缘强度kv/mm10 热敏抗阻k/w0.3 长期工作温度(℃)1480 比电阻率ω?mm2/m>1016 最高使用温度(无载荷)°c1750 耐酸碱腐蚀性能/强 耐火度°c2000

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热喷涂氧化铝陶瓷涂层失效分析及对策

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热喷涂氧化铝涂层技术被大量应用在纺织机械行业,而其结构特点决定了这种涂层塑形变形能力差,对应力集中和裂纹敏感。本文通过对氧化铝涂层常见失效形式进行分析,并提出对策,以期提高工件使用寿命、减少生产成本。

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氮化铝陶瓷PCB基板及其金属化

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介绍氮化铝电子陶瓷的性能,开发两种氮化铝金属化的工艺,得到的镀层与基体的结合力较传统工艺有提高,其成本具空镀和共烧法低得多。

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闫晓松

职位:房建工程标准员

擅长专业:土建 安装 装饰 市政 园林

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