精品文献
半导体激光加工
多芯片半导体激光器光纤耦合设计
多芯片半导体激光器光纤耦合设计
应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。
半导体激光器P-I特性测试
实验一 半导体激光器 P-I 特性测试实验 一、 实验目的 1.学习半导体激光器发光原理和光纤通信中激光光源工作原理 2.了解半导体激光器平均输出光功率与注入驱动电流的关系 3.掌握半导体激光器 P（平均发送光功率） -I（注入电流）曲线的测试方法 二、 实验仪器 1. ZY12OFCom13BG 型光纤通信原理实验箱 1 台 2.光功率计 1 台 3. FC/PC-FC/PC 单模光跳线 1 根 4.万用表 1 台 5.连接导线 20 根 三、 实验原理 半导体激光二极管（ LD）或简称半导体激光器，它通过受激辐射发光， （处于高 能级 E2的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子， 而跃迁到低能级 E1，这个过程称为光的受激辐射，所谓一模一样，是指发射光子和感应光子不仅频率 相同，而且相位、偏振方向和传播方向都相同，它和感应光子是相干的。 ）是一种阈 值器件。由于受激辐射与