精品文献
cvd金刚石
熔融铈快速抛光CVD金刚石厚膜及表面分析
熔融铈快速抛光CVD金刚石厚膜及表面分析
利用熔融稀土铈(Ce)对CVD金刚石厚膜进行了抛光研究。详细讨论了工艺参数对抛光速率和表面粗糙度Ra的影响,获得了最佳抛光工艺。通过对抛光后金刚石膜表面的拉曼光谱(Raman)、俄歇能谱(AES)、扫描电镜(SEM)以及能谱(EDS)的分析,探讨了抛光机理。结果表明:该方法有很高的抛光速率,可达每小时数百微米。抛光后金刚石膜的Ra从10.845μm降低至0.6553μm。抛光的热处理工艺不但没有破坏金刚石表面的原始结构,而且由于铈对石墨的优先刻蚀,抛光后金刚石膜表面的石墨含量还大大减少。
CVD金刚石厚膜的机械抛光研究
CVD金刚石厚膜的机械抛光研究
化学气相沉积(CVD)制备的金刚石膜表面粗糙且厚薄不均匀,在许多情况下不能直接使用,必须对其进行抛光。本文研究了不同型号的金刚石微粉对CVD金刚石厚膜研磨的影响,通过对研磨结果的比较分析,优化出一种高质量高效率的抛光方法,即先采用W40和W28金刚石微粉,分别研磨2 h,然后用W0.5金刚石微粉研磨4 h。经扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试分析表明:金刚石膜的平均去除率为12.2μm/h,粗糙度Ra由4.60μm降至3.06 nm,说明该抛光方法能实现金刚石膜高质量、高效率的抛光。