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电池磁导体支架
半导体(电子)及太阳能电池材料的多晶硅
半导体 (电子 )及太阳能电池材料的多晶硅 一、概要 1、从锗到硅 锗：融点 960℃ 用石英或炭的容器来熔化。 硅：融点 1420℃ 炭和石英反应生成。（沸点： 2355℃） 最初半导体的产生从生产使用方便的锗材料开始的， 随着技术进步，开始使用了特别显 著性质的硅（从 1965年的硅的生产量超过了锗的生产量） ，用于太阳能电池就从这时开始的。 2、硅的特性 半导体：导体、绝缘物的中间导电物。 导电：有 P型与 N 型。根据温度有所变化， P型 N 型的结合。（P 型：空穴； N 型：电 子） 常温下，本征半导体硅的电导率是 230000Ω·cm，1100℃时为 0.01Ω·cm.纯度为 9个 9 时为 100Ω·cm，10个 9时为 1000Ω·cm。所含杂质越多，导电性越好。 3、高纯度多晶硅的技术变化 进入 1950年开始工业性生产（美国 Du-pont）日本是从进入 1960年代
利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度
利用硅光电池测量硅单晶半导体材料的禁带宽度
以白炽灯为光源照射单晶硅光电池,测量在硅光电池前加不同截止波长的滤色片时的短路电流.通过短路电流和截止波长的关系,经拟合得到单晶硅材料的长波限,再利用半导体材料的长波限与半导体的禁带宽度Eg的关系,即Eg=hc/λ,计算得出其禁带宽度.