根据凹印套准原理把握PE薄膜套印技术
在薄膜凹印质量损耗的分类中,套印误差超标是个大问题。GB/T7707-2008《凹版装潢印刷品》规定:对于双向拉伸类薄膜,主要部位套印允许误差≤0.20mm,次要部位套印允许误差≤0.35mm;对于非双向拉伸类薄膜,主要部位套印允许误差≤0.30mm,次要部位套印允许误差≤0.60mm。同修改前的旧国标相比,现行国标将原标准中"主要部位套印允许误差≤0.30mm,次要部位套印允许误差≤0.60mm"的条款细分为两种薄膜,并分别按国内凹印界的现行水平作了规定。
酞菁钯-PVC膜硫氰酸根离子选择性电极的研制及应用
研制了酞菁钯 PVC膜硫氰酸根离子选择性电极。在B.R缓冲体系(pH2.5)中,电极对SCN-离子响应的线性范围为1.0×10-5~0.1mol·L-1,检出限为7.28×10-6mol·L-1,斜率为56±1mV,电极具有良好的选择性和稳定性。用于印染厂废水中SCN-的测定,结果满意。
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