精品文献
静电纺丝技术
同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆
同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆
采用同轴静电纺丝技术,以硝酸铈、硝酸锌、聚乙烯吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿为原料,制备了ZnO@CeO2同轴纳米电缆.用差热-热重分析、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征.结果表明,所得产物为ZnO@CeO2同轴纳米电缆,以晶态CeO2为壳层,晶态ZnO为芯层,电缆直径约90 nm,芯层直径约60 nm,壳层厚度约15 nm,电缆长度大于300μm,并分析了其形成机理.
同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆
同轴静电纺丝技术制备ZnO@CeO_2纳米电缆
采用同轴静电纺丝技术,以硝酸铈、硝酸锌、聚乙烯吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、甘油和氯仿为原料,制备了ZnO@CeO2同轴纳米电缆.用差热-热重分析、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和能谱仪对样品进行了表征.结果表明,所得产物为ZnO@CeO2同轴纳米电缆,以晶态CeO2为壳层,晶态ZnO为芯层,电缆直径约90 nm,芯层直径约60 nm,壳层厚度约15 nm,电缆长度大于300μm,并分析了其形成机理.