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矢量增强型变频器
增强型缆式线型感温探测器
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硅基650nm增强型光电探测器
硅基650nm增强型光电探测器
通过在硅PIN结构的基础上进行改进,采用硅P+PIN结构,研制出650nm增强型光电探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应度、暗电流和响应速度等参数进行计算与分析。实验结果表明,器件响应度达0.448A/W(λ=650nm),暗电流达到0.1nA(VR=10V),上升时间达到3.2ns。