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什么叫单刀双掷开关
东芝推出新型GaAsMESFET单刀双掷开关
东芝推出新型GaAsMESFET单刀双掷开关
东芝公司推出一种新的小型低断面GaAsMESFET、单刀双掷开关。这种小型开关非常适用于多波段/多模蜂窝天线开关组件、蓝牙组件和无线局域网。上述GaAsMESFET MMIC 1 GHz下插损0.35 dB(2 GHz下0.40 dB),1 GHz和2 GHz下隔离24 dB。其功率性能优良,25 GHz下1 dB压缩功率(P1 dB)为17 dBm,对于极小型低断面封装而言,上述功率性能是非常之好了。这种TG2217CTB型单刀双掷开关采用甚小低断面无引线6针芯片级封
一种新型RF MEMS单刀双掷开关的设计与仿真
一种新型RF MEMS单刀双掷开关的设计与仿真
本文介绍了一种利用单驱动电压控制通路选择的新型RFMEMS单刀双掷开关,利用三维仿真软件Ansoft HFSS和ANSYS进行仿真和优化设计该开关的性能。仿真结果表明:驱动电压为22V,开关时间为22μs,在中心频率30GHz处,开关处于down状态下的插入损耗为0.42dB,回波损耗为43dB,隔离度为29dB;而当开关处于up状态的插入损耗为0.53dB,回波损耗为19dB,隔离度为28dB,该开关的性能仿真和优化设计达到理想情况。。