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制冷芯片原理
LED芯片的发光原理与分类
LED 芯片的发光原理与分类 一、 LED 历史 50 年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识， 1962 年，通用电气公司的尼克 何伦亚克（NickHolonyakJr.）开发出第一种实际应用的可见光发光二极管。 LED 是英文 light emitTIng diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于 一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线 的作用，所以 LED 的抗震性能好。 最初 LED 用作仪器仪表的指示光源， 后来各种光色的 LED 在交通信号灯和大面积显示屏 中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以 12 英寸的红色交通信号灯为 例，在美国本来是采用长寿命、低光效的 140瓦白炽灯作为光源，它产生 2000 流明的白 光。经红色滤光片后， 光损失 90%，只剩下 200流明的红光。而
DMD芯片显示原理的介绍
(三 )DMD 芯片显示原理的介绍 DMD 精微 反 射镜面 是 一种 整合 的 微机电上 层结构 电 路单 元 (MEMS superstructure cell)，它是利用 CMOS SRAM 记忆晶胞所制 成。DMD 上层结构的制造是从 完整 CMOS 内存电路开始，再透过光罩层的使用，制造出铝金属层和硬化光阻层 (hardened photoresist) 交替的上层结构，铝金属层包括地址电极 (address electrode)、绞链 (hinge)、轭 (yoke) 和反射镜，硬化光阻层则 作为牺牲层 (sacrificial layer)，用来形成两个 空气间 (air gaps)。铝金属会经过溅镀沉积 (sputter-deposited) 以及电浆蚀刻 (plasma-etched) 处理，牺牲层则会经过电浆去灰 (plasma-ashed) 处理，以便制造出层间的