基于噪声抵消技术的低噪声放大器的设计
基于噪声抵消技术的低噪声放大器的设计
本文采用SMIC0.18um CMOS射频工艺设计了基于噪声抵消技术的低噪声放大器(LNA),并通过仿真验证。仿真结果显示,该低噪声放大器具有良好的噪声性能特性,噪声最低小于1.5d B在宽频带内整体噪声小于5d B,以及良好的S参数,S21最高增益大于20d B,S11和S22都小于-10d B,适合通信技术要求。
基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器设计
基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器设计
采用0.18μm CMOS工艺,针对DMB-T/H标准数字电视调谐器应用,设计了一个基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器.详细分析了噪声抵消技术的原理,给出了宽带低噪声放大器的设计过程.仿真结果表明,在48～862MHz频率范围内输入输出反射系数均小于-20dB,噪声系数低于3dB,增益大于17dB,1dB压缩点为-6dBm.在1.8V电压下,电路功耗为10.8mW.
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