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SRAM模块

SRAM模块主要由存储矩阵(又称存储体)、地址译码器和读/写电路组成,电路均由增强型 NMOS 管构成,T1、T3和 T2、T4两个反相器交叉耦合构成触器,SRAM产品种类繁多,在容量与功耗等指标上有很宽的覆盖面,可供不同的场合应用,但基本电路结构大同小异。

SRAM模块特点

电路均由增强型 NMOS 管构成,T1、T3和 T2、T4两个反相器交叉耦合构成触器。电路采用二元寻址,当字线 Xi和 Yj均为高电平时,T5~T8均导通,则该单元选中,若此时R/ W为1,则电路为读出态,三态门G1、G2被禁止,三态门G3工作,存储数据经数据线 D,通过三态门 G3至 I/O 引脚输出。若 R/ W 为 0,则三态G1、G2工作,三态门 G3被禁止,由 I/O 输入数据经 G1、G2便写入存储单元。

静态MOS-RAM(简称 SRAM)

SRAM产品种类繁多,在容量与功耗等指标上有很宽的覆盖面,可供不同的场合应用,但基本电路结构大同小异。图4是W2114 SRAM(1K*4位),这是一种典型结构,5H2112(256*4)和美国的HM6116(2K*8)位都是采用这种结构。它采用HC-MOS工艺(H表示高速),所以,具有高速、低耗、单一5V电源、外围电路简单、输入输出引脚公用、三态输出、使用非常简单以及存取时间短(为100ns)的特点。

CS为选通端, WE 为写使能控制端,A0~A9为地址,I/O1~I/O4为输入/输出。显然可见为二元寻址和三态输出结构。 CS为低电平有效,电路选通之后,若要写入操作,则令 WE =0,输入三态门被选通(高电平有效),数据通过输入控制电路被写入;与此同时,输出三态门关闭,切断了输出与数据总线的联系。若要读出,则令 WE =1,输入三态门关闭而输出三态门被选通,因而存储数据被读出。功能表示于下表。

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SRAM模块造价信息

  • 市场价
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模块化机房

  • FusionModule800
  • 华为
  • 13%
  • 山东科普电源系统有限公司
  • 2022-12-06
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PWJ蓄水模块

  • 1200×600×600
  • 华畅科技
  • 13%
  • 河南华畅建筑科技有限公司
  • 2022-12-06
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信号转接控制模块

  • DS-XHZHKZ-02(内部信号转换模块)
  • 江苏明朗
  • 13%
  • 江苏明朗照明科技有限公司
  • 2022-12-06
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雷达流量检测模块

  • 雷达流量检测模块
  • 海通
  • 13%
  • 江苏海通交通集团有限公司南宁分公司
  • 2022-12-06
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模块(模块箱)

  • 1.名称:2防区报警模块2.其他:详见招标图纸及技术要求 DS7460i-CHI
  • 博世
  • 13%
  • 广州澳星电子有限公司
  • 2022-12-06
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模块

  • MKX2-1
  • 湛江市2005年2月信息价
  • 建筑工程
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输入模块

  • 湛江市2022年3季度信息价
  • 建筑工程
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输出模块

  • 湛江市2022年3季度信息价
  • 建筑工程
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输入模块

  • 清远市2022年2季度信息价
  • 建筑工程
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输出模块

  • 湛江市2022年2季度信息价
  • 建筑工程
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模块(模块箱)

  • 模块(模块箱)
  • 1m
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2020-11-18
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模块

  • 模块
  • 4块
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-05-24
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模块

  • 监视模块/控制模块
  • 1个
  • 2
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2019-12-04
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模块(模块箱)

  • 1.名称:接口模块 2.类型:含电话通信模块、GSM短信模块
  • 2台
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2018-05-28
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模块(模块箱)

  • 报警模块
  • 4个
  • 2
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-04-02
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SRAM模块简介

存储矩阵是由许多存储单元有规则地排列构成的,每一个存储单元可以存储一位二进制码。对每个存储单元用二进制码编号,即构成存储单元的地址,为了选中给定单元的地址,可以采用一元寻址(又称为字结构或单译码结构),或者二元寻址(又称位结构或双译码结构)。其逻辑框图如2 所示,图中,存储矩阵包含 16 个存储单元,所以,需要 16 个地址。图2(a)是一元寻址,由 4 位地址码便可构成 16 个地址,即 16 条字线,每条字线为 1 电平时便选中相应存储单元。被选中单元通过数据线与读/写电路连接,便可实现对该单元的读出或写入。

图 2(b)为二元寻址逻辑图,它有 X 和 Y 两个地址译码器。每个存储单元由 X字线和 Y 字线控制,只有在 X 和 Y 字线都被选中时才能对该单元读出或写入。二元寻址可以大大减少字线数量。所以,在大容量 RAM 中均采用二元寻址。

静态 MOS 存储单元

图 3 所示的是静态 MOS 六管存储单元。图中,X i和 Yj为字线;I/O 为数据入/输出端;R/ W 为读/写控制端。当 R/ W =0 时,进行写入操作;当 R/ W =1 时,行读出操作。

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SRAM模块常见问题

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SRAM模块文献

欧司朗(Osram)笔试题目【精选】 欧司朗(Osram)笔试题目【精选】

欧司朗(Osram)笔试题目【精选】

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欧司朗( Osram)笔试题目 下午做完实验后 ,本来陪同学去欧司朗笔试的 ,结果自己也跑进去笔试了 .. 有三种职位 ,: 财务管理 ,研发 ,机械工程师 . 公司没有宣讲 ,直接发试卷 ,我还是 做机械题目 . 第一题是画图 ,给出正视图 ,左视图 ,请画出俯视图 . 第二题是 ,螺栓连接的改错题 第三题是 ,形位公差的理解 . 第四题是 ,螺纹的 ,g1/a1 是什么意思 . 第五题是 ,autocad 的弧度 ,正负号 ..fai, 等怎么输入 ? 第六 ,autocad 的画圆 ,直线 ,圆弧 ,移动 ,复制命令的快捷键 . 最后问关于倒圆角与应力集中之间关系的问题 . 全是考专业知识 .这一次没有英文题 .其它职位的试卷就是要做英文题目的 . 20 XX— 019 学年度 第一学 期生物 教研组 工作 计划 指 导思想 以 新一轮 课程改 革为抓 手,更 新教育

欧司朗OsramPowerTOPLED 欧司朗OsramPowerTOPLED

欧司朗OsramPowerTOPLED

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Press 新闻稿 1/2 欧司朗光电半导体亚洲有限公司 产品资料 电子邮件: prasia@osram-os.com 媒体联系 : 李宝儿 (Betty Lee) 电话 : (852) 3652 5642 电子邮件 : betty.lee@osram-os.com 欧司朗的红外 Power TOPLED 采用芯片堆叠技术,可从小面积发出高亮光线 二零一零年十一月九日 -- 中国讯 – 欧司朗光电半导体推出的 Power TOPLED SFH4250S 所发出的红外光线几乎是 SFH4250 标准元件的两倍。在 70 mA 驱动电流下进行连续操作 时,这款新红外 LED 的典型辐射强度高达 22 mW/sr ,总辐射通量为 70 mW 。该元件的高 亮度使它能够实现高紧凑型照明装置设计,也可大幅提升现有设计的有效范围。在众多受 益应用中, 3D 电视机是其

垂直GAA晶体管打造最小SRAM

来源:内容来自eettaiwan,谢谢。

新创公司Unisantis与Imec研究机构联手,打造出号称至今最小的SRAM单元。

0.0205mm2和0.0184mm2的6T-SRAM单元采用由Unisantis开发的垂直gate-all-around (GAA)晶体管,可望成为打造明日先进芯片的建构模块。

这项开发工作是Imec年度技术论坛开幕当日的少数几项新发布之一。其他新闻还包括透过蓝牙实现更精确的室内定位、高密度的芯片实验室(lab-on-a-chip)以及无需摄影机的眼动追踪方法,而这些都是由Imec独自开发的成果。

由Unisantis和Imec共同组成的研究团队使用该新创公司所谓的环绕闸极晶体管,其最小间距为50奈米(nm)。该设计适用于5-nm SRAM,但不适合逻辑单元,因为它需要3个晶体管,才能提供单个FinFET的性能。

Unisantis的设计类似于一般被称为垂直奈米线的设计,这可说是未来几年的候选晶体管。他们可望显著减少芯片面积——而且是CMOS微缩的最后进展领域之一。

多年来,大多数研究人员都认为垂直晶体管的挑战阻碍了其于商用芯片中的实际应用。特别是Unisantis的设计还需要更高2~3倍的性能,才足以与FinFET逻辑竞争。

FinFET预计将微缩至采用将在2020年量产的5nm节点。横向GAA晶体管——有时被为奈米片(nanosheet)、奈米线(nanowire)或奈米板(nanoslab),普遍预期将在3nm节点成为其后续产品。

Unisantis技术长Fujio Masuoka在1980年代时曾经是东芝公司(Toshiba)的NAND先驱。其新创公司明确地瞄准先展开下一代晶体管的开发,期望它有朝一日在明日半导体扮演更重要的角色。

今年2月,三星(Samsung)介绍了具有0.026-mm2位元单元的6T 256-Mbit SRAM,采用FinFET和极紫外光微影(EUV)技术制造,这是当时最小的元件。该韩国巨擘表示已在测试该设计的芯片,并有信心成为第一个商用化应用EUV的计划。

Unisantis的设计于对三星的开发工作带来了重大的影响,当时并超越了芯片巨擘英特尔(Intel)的工作进展。根据Imec,使用EUV,Unisantis的晶体管能以相当于FinFET SRAM的成本,在5nm制程进行制造。

然而,市场观察人士指出,「这并不是一项可在像Imec这样的小型研究机构中执行的简单研究计划。你需要具备从晶体管到完成设计的制造规模,以及具有一定的经济规模足以让任何事情上都易于销售,而不是损失。」

图:Unisantis和Imec宣称开发出比三星、英特尔和台积电更小的SRAM位元单元(来源:Imec)

蓝牙室内定位准确度达30cm范围

此外,Imec还发布了一款软件,采用时间和相位数据估算飞行时间(ToF)信息,透过蓝牙提供高达30公分(cm)的室内定位准确度。目前的技术使用信号强度来提供3到5公尺的精度。

该软件可以得以让蓝牙与来自DecaWave等公司的超宽带芯片室内精确度竞争。其目标在于以更低的成本提供类似的准确度,并将蓝牙广泛整合至智能型手机中。

Imec并在Atmel 802.15.4和恩智浦(NXP)的蓝牙参考设计上展示其软件。它执行于Arm Cortex M4F上,并使用不到32 Kbits的ROM和64 Kbits RAM。

研究人员正为修改蓝牙米兰(Bluetooth Milan)协议的下一代版本提议修改,以便广泛使用其技术。该标准流程可能需要大约一年的时间。同时,拥有蓝牙链接两端的用户可以在其连接上启用软件。

另外,Imec正与合作伙伴合作,在不增加硬件要求的情况下为设计添加加密和身份验证功能。该技术可将蓝牙定位能作为汽车等各种系统的数位锁,从而可能取代NFC。此外,Imec还创造了一款高阶的实验室芯片,将16,384个电极阵列与16孔微流阵列结合在一起。

图:Imec的眼动追踪眼镜原型采用Datwyler的干式电极

最后,Imec还展示了一款整合在眼镜上的无相机眼动追踪技术。它使用电子眼图传感器来减轻重量、成本和功耗。这款智慧眼镜则透过眨眼等眼动姿势来提供控制系统的方式。

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osram商标商品服务

照明器械及装置; 照明防护装置; 喷焊灯; 煤气灯; 烹调器具; 冷却设备和机器; 干燥器; 空气调节装置; 加热装置; 蒸汽发生设备; 暖气装置; 卫生器械和设备; 消毒设备; 暖气散热器; 气体打火机; 燃料及核中和材料处理装置;

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osram商标申请信息

申请/注册号:5452396

申请日期:2006年06月30日

国际分类:11

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