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SRAM模块简介

2018/06/19189 作者:佚名
导读: 存储矩阵是由许多存储单元有规则地排列构成的,每一个存储单元可以存储一位二进制码。对每个存储单元用二进制码编号,即构成存储单元的地址,为了选中给定单元的地址,可以采用一元寻址(又称为字结构或单译码结构),或者二元寻址(又称位结构或双译码结构)。其逻辑框图如2 所示,图中,存储矩阵包含 16 个存储单元,所以,需要 16 个地址。图2(a)是一元寻址,由 4 位地址码便可构成 16 个地址,即

存储矩阵是由许多存储单元有规则地排列构成的,每一个存储单元可以存储一位二进制码。对每个存储单元用二进制码编号,即构成存储单元的地址,为了选中给定单元的地址,可以采用一元寻址(又称为字结构或单译码结构),或者二元寻址(又称位结构或双译码结构)。其逻辑框图如2 所示,图中,存储矩阵包含 16 个存储单元,所以,需要 16 个地址。图2(a)是一元寻址,由 4 位地址码便可构成 16 个地址,即 16 条字线,每条字线为 1 电平时便选中相应存储单元。被选中单元通过数据线与读/写电路连接,便可实现对该单元的读出或写入。

图 2(b)为二元寻址逻辑图,它有 X 和 Y 两个地址译码器。每个存储单元由 X字线和 Y 字线控制,只有在 X 和 Y 字线都被选中时才能对该单元读出或写入。二元寻址可以大大减少字线数量。所以,在大容量 RAM 中均采用二元寻址。

静态 MOS 存储单元

图 3 所示的是静态 MOS 六管存储单元。图中,X i和 Yj为字线;I/O 为数据入/输出端;R/ W 为读/写控制端。当 R/ W =0 时,进行写入操作;当 R/ W =1 时,行读出操作。

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