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半导体激光划片机

半导体激光划片机应用于太阳能行业单晶硅、多晶硅、非晶硅带太阳能电池片(cell)和硅片(wafer)的划片(切割划片)。

半导体激光划片机基本信息

半导体激光划片机主要技术参数

激光波长:1.06μm

划片精度:±10μm

划片线宽:≤0.03mm

激光重复频率:20KHz~100KHz

最大划片速度:230mm/s

激光最大功率:≤15W(根据激光器的选择,可提升最大功率)

使用电源:220V/ 50Hz/ 1KVA

冷却方式:强迫风冷

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半导体激光划片机造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

激光投影机

  • 700W
  • 梵朗
  • 13%
  • 深圳市梵朗照明科技有限公司江门办事处
  • 2022-12-07
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激光喷泉

  • 品种:激光喷泉;规格型号:12KW;
  • 锦泉
  • 13%
  • 河北锦泉园林景观工程股份有限公司
  • 2022-12-07
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激光喷泉

  • 24V,9W
  • 13%
  • 深圳凡尊照明电器有限公司
  • 2022-12-07
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白玻划片

  • 12mm(净)
  • 13%
  • 沈阳市海益玻璃经销部
  • 2022-12-07
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白玻划片

  • 8mm(净)
  • 13%
  • 沈阳市海益玻璃经销部
  • 2022-12-07
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夯实(电)

  • 夯击能力20-62Nm
  • 台班
  • 广州市2006年4季度信息价
  • 建筑工程
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夯实(电)

  • 夯击能力20-62Nm
  • 台班
  • 广州市2006年1季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

夯实(电)

  • 夯击能力20-62Nm
  • 台班
  • 广州市2005年3季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

夯实(电)

  • 夯击能力20-62Nm
  • 台班
  • 广州市2006年3季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

夯实(电)

  • 夯击能力20-62Nm
  • 台班
  • 广州市2006年2季度信息价
  • 建筑工程
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半导体泵浦全固态激光

  • 1.名称:半导体泵浦全固态激光2.激光功率:红光(638nm)/200mW
  • 2套
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-04-12
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-10-24
查看价格

半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-09-14
查看价格

半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-09-16
查看价格

半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-08-15
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半导体激光划片机国内外发展状况

2011年武汉三工光电设备制造有限公司开始大面积推广半导体激光划片机 以推动整个行业升级换代

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半导体激光划片机设备性能

标准化设计:整机采取国际标准模块化设计,结构合理,安装维护更方便简洁。

划片效果好:半导体激光器光束质量好,对太阳能电池划片时切缝更窄,切面更光滑。大大提升太阳能电池的品质。

专用划片软件:专为激光划片机而设计的控制软件,操作简单,能实时显示划片路径

稳定运行:全封闭光路设计,确保激光器长期连续稳定运行,对环境适应能力更强。可24小时不间断连续工作。

应用及市场

·能适应单晶硅、多晶硅、非晶硅电池划片和硅、锗、砷化镓半导体材料的划片和切割。

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半导体激光划片机常见问题

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半导体激光划片机文献

多芯片半导体激光器光纤耦合设计 多芯片半导体激光器光纤耦合设计

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

格式:pdf

大小:343KB

页数: 未知

应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。

半导体激光器输出特性的影响因素 半导体激光器输出特性的影响因素

半导体激光器输出特性的影响因素

格式:pdf

大小:343KB

页数: 5页

半导体激光器输出特性的影响因素 半导体激光器是一类非常重要的激光器,在光通信、光存储等很多领域都有广泛的应 用。下面我将探讨半导体激光器的波长、光谱、光功率、激光束的空间分布等四个方面的 输出特性,并分析影响这些输出特性的主要因素。 1. 波长 半导体激光器的发射波长是由导带的电子跃迁到价带时所释放出的能量决定的, 这个能 量近似等于禁带宽度 Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz) 和λ(μm)分别为发射光的频率和波长 且c=3×108m/s, h=6.628 ×10- 34 J ·s, leV=1.60 × 10- 19 J 得 决定半导体激光器输出光波长的主要因素是 半导体材料 和温度 。 不同半导体材料有不同的禁带宽度 Eg,因而有不同的发射波长 λ:GaAlAs-GaAs 材料 适用于 0.85 μm波段, InGaAsP-InP材料适用于 1.3~1.55 μm波段。

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