半导体激光快速成型设备造价信息

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激光喷泉

规格型号：
品种:激光喷泉;规格型号:12KW;
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
锦泉
材料税率：
13%
供应商：
河北锦泉园林景观工程股份有限公司
报价时间：
2022-12-07

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激光喷泉

规格型号：
24V,9W
价格行情：
材料单位：
个
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
深圳凡尊照明电器有限公司
报价时间：
2022-12-07

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激光投影机

规格型号：
700W
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
梵朗
材料税率：
13%
供应商：
深圳市梵朗照明科技有限公司江门办事处
报价时间：
2022-12-07

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激光灯FPN

规格型号：
标准Art-net协议,多通道扩展、8端口DMX512输出,可外接MA控台,19寸机架式安装;
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
佛山银河照明
材料税率：
13%
供应商：
佛山市银河兰晶科技股份有限公司
报价时间：
2022-12-07

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激光灯RPU

规格型号：
1×WAN口;4×LAN口;嵌入式Linux操作系统;输出标准Art-net协议;可带载240域;专业舞台灯光控制系统
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
大峡谷
材料税率：
13%
供应商：
大峡谷照明系统（苏州）股份有限公司
报价时间：
2022-12-07

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气割设备

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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潜水设备

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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潜水设备

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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气割设备

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2011年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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气割设备

规格型号：
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2011年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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半导体泵浦全固态激光器

规格型号：
1.名称:半导体泵浦全固态激光器2.激光功率:红光(638nm)/200mW
需求量：
2套
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-04-12

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-10-24

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经济技术指标

规格型号：
40层
需求量：
04.2m层高
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2009-05-12

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-14

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半导体陶瓷

规格型号：
将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-16

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半导体激光快速成型设备主要功能

能够根据设计的图纸快速制造东西。 2100433B

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半导体激光快速成型设备技术指标常见问题

半导体激光器的工作原理？

半导体激光器工作原理：半导体激光器工作原理是激励方式，利用半导体物质(既利用电子)在能带间跃迁发光，用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜，组成谐振腔，使光振荡、反馈、产生光的辐射放大，输...
哪位知道半导体激光器原理?

半导体激光器通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时便产生受...
半导体激光器波长是多少

如果是光通信的研究，一般用的多的半导体激光器的波长是1550nm波段的，其次是1310nm，也有其他的如，850nm和980nm等等。　　半导体激光器的常用参数可分为：波长、阈值电流Ith 、工作电...

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半导体激光快速成型设备技术指标文献

多芯片半导体激光器光纤耦合设计

格式：pdf

大小：343KB

页数：未知

应用ZEMAX光学设计软件模拟了一种多芯片半导体激光器光纤耦合模块,将12支808nm单芯片半导体激光器输出光束耦合进数值孔径0.22、纤芯直径105μm的光纤中,每支半导体激光器功率10 W,光纤输出端面功率达到116.84W,光纤耦合效率达到97.36%,亮度达到8.88MW/(cm2·sr)。通过ZEMAX和ORIGIN软件分析了光纤对接出现误差以及单芯片半导体激光器安装出现误差时对光纤耦合效率的影响,得出误差对光纤耦合效率影响的严重程度从大到小分别为垂轴误差、轴向误差、角向误差。

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半导体激光器输出特性的影响因素

格式：pdf

大小：343KB

页数： 5页

半导体激光器输出特性的影响因素半导体激光器是一类非常重要的激光器，在光通信、光存储等很多领域都有广泛的应用。下面我将探讨半导体激光器的波长、光谱、光功率、激光束的空间分布等四个方面的输出特性，并分析影响这些输出特性的主要因素。 1．波长半导体激光器的发射波长是由导带的电子跃迁到价带时所释放出的能量决定的，这个能量近似等于禁带宽度 Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz) 和λ(μm)分别为发射光的频率和波长且c=3×108m/s， h=6.628 ×10- 34 J ·s， leV=1.60 × 10- 19 J 得决定半导体激光器输出光波长的主要因素是半导体材料和温度。不同半导体材料有不同的禁带宽度 Eg，因而有不同的发射波长 λ：GaAlAs-GaAs 材料适用于 0.85 μm波段， InGaAsP-InP材料适用于 1.3~1.55 μm波段。

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冲压注塑成型设备简介

内容简介 《冲压注塑成型设备》共分六个项目，内容包括：曲柄压力机、常见类型冲压设备、液压机、塑料注射机、塑料挤出成型设备和其他成型设备，集冷冲压塑料成型和金属压铸三种机械设备于一书，重点介绍设备的工作原理、结构、特点和应用，同时对挤出理论也作了简要介绍。《冲压注塑成型设备》力求突出实用性，重在培养学生的应用和设计能力。《冲压注塑成型设备》可作为高等院校模具专业的专业课教材，也可作为职业大学、电大、职业中专、职业高中用教材，并可供从事金属和塑料成型的技术人员参考。

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半导体激光应用

半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于Gh局域网，1300nm -1550nm波长的半导体激光器适用于1OGb局域网系统。半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的核心技术。半导体激光器在激光测距、激光雷达、激光通信、激光模拟武器、激光警戒、激光制导跟踪、引燃引爆、自动控制、检测仪器等方面获得了广泛的应用，形成了广阔的市场。1978年，半导体激光器开始应用于光纤通信系统，半导体激光器可以作为光纤通信的光源和指示器以及通过大规模集成电路平面工艺组成光电子系统。由于半导体激光器有着超小型、高效率和高速工作的优异特点，所以这类器件的发展，一开始就和光通信技术紧密结合在一起，它在光通信、光变换、光互连、并行光波系统、光信息处理和光存贮、光计算机外部设备的光祸合等方面有重要用途。半导体激光器的问世极大地推动了信息光电子技术的发展，到如今，它是当前光通信领域中发展最快、最为重要的激光光纤通信的重要光源。半导体激光器再加上低损耗光纤，对光纤通信产生了重大影响，并加速了它的发展。因此可以说，没有半导体激光器的出现，就没有当今的光通信。双异质结激光器是光纤通信和大气通信的重要光源，如今，凡是长距离、大容量的光信息传输系统无不都采用分布反馈式半导体激光器（DFB一LD)，半导体激光器也广泛地应用于光盘技术中，光盘技术是集计算技术、激光技术和数字通信技术于一体的综合性技术。

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半导体激光半导体激光器

半导体激光构造及材料 半导体激光器在基本构造上，它属于半导体的P-N接面，但激光二极管是以金属包层从两边夹住发光层（有源层），是“双异质结接合构造”。而且在激光二极管中，将界面作为发射镜（谐振腔）使用。在使用材料方面，有镓(Ga)、砷(As)、铟(In)、磷(P)等。此外在多量子阱型中，也使用Ga·Al·As等。 由于具有条状结构，即使是微小电流也会增加活性区域的电子数反转密度， 优点是激发容易呈现单一形式，而且，其寿命可达10~100万小时。 半导体激光条件 半导体激光器是一种相干辐射光源，要使它能产生激光，必须具备三个基本条件： 增益条件：建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布。在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带，因此在半导体中要实现粒子数反转，必须在两个能带区域之间，处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多，这靠给同质结或异质结加正向偏压，向有源层内注人必要的载流子来实现，将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。 要实际获得相干受激辐射，必须使受激辐射在光学谐振腔内得到多次反馈而形成激光振荡，激光器的谐振腔是由半导体晶体的自然解理面作为反射镜形成的，通常在不出光的那一端镀上高反多层介质膜，而出光面镀上减反膜。对F-p腔(法布里一拍罗腔)半导体激光器可以很方便地利用晶体的与P一n结平面相垂直的自然解理面构成F一P腔。 为了形成稳定振荡，激光媒质必须能提供足够大的增益，以弥补谐振腔引起的光损耗及从腔面的激光输出等引起的损耗，不断增加腔内的光场。这就必须要有足够强的电流注入，即有足够的粒子数反转，粒子数反转程度越高，得到的增益就越大，即要求必须满足一定的电流阀值条件。当激光器达到阀值，具有特定波长的光就能在腔内谐振并被放大，最后形成激光而连续地输出。可见在半导体激光器中，电子和空穴的偶极子跃迁是基本的光发射和光放大过程对于新型半导体激光器而言，人们公认量子阱是半导体激光器发展的根本动力。量子线和量子点能否充分利用量子效应的课题已延至本世纪，科学家们已尝试用自组织结构在各种材料中制作量子点，而GaInN量子点已用于半导体激光器。另外，科学家也已经做出了另一类受激辐射过程的量子级联激光器，这种受激辐射基于从半导体导带的一个次能级到同一能带更低一级状态的跃迁，由于只有导带中的电子参与这种过程，因此它是单极性器件。

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