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图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。
双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称(见图5;注意电压是标量,电流是矢量)。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(B0)时,器件呈高阻态。当U>V(B0)时,管子击穿导通进入负阻区。同样当U小于反向转折电压V(BR)时,管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级:20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V,可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管,表针均应不动(RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏,并能提供大于250V的直流电压的电源,检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有,可用兆欧表按图6所示进行测量(正、反各一次),电压大的一次V(BR)。例如:测一只DB3型二极管,第一次为27.5V,反向后再测为28V,则△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V<2V,表明该管对称性很好。
图7是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。通过调节电位器R2,可以改变双向可控硅的导通角,从而改变通过灯泡的电流(平均值)实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。
该电路在双向可控硅加散热器的情况下,可控负载功率可达500W,各元件参数见图所标注。
正反向电阻值的测量
用万用表R×1k或R×10k档,测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。
正反向电阻值的测量
用万用表R×1k或R×10k档,测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。
一、恒流二极管 1.恒流二极管的作用 恒流二极管(简称CRD)是用来稳定电流的二极管,它可以在较宽的电压变化范围内提供恒定不变的电流。恒流二极管主要应用各种放大电路(如音频功放电路)、振荡电路及稳压电...
常用的有: 整流二极管、检波二极管、光敏二极管、发光二极管、恒流二极管、稳压二极管等。
正反向电阻值的测量用万用表R×1k或R×10k档,测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。
测量双向触发二极管的转折电压有三种方法(如图3所示):
1)将兆欧表的正极(E)和负极(L)分别接双向触发二极管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的直流电压档测量出电压值,将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般为3~6V)。此偏差值越小,说明此二极管的性能越好。
2)先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。
若U1与U2的电压值相同,但与U的电压值不同,则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时,则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时,则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V,则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。
3)用0~50V连续可调直流电源,将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压,当电流表指针有较明显摆动时(几十微安以上),则说明此双向触发二极管已导通,此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。
测量双向触发二极管的转折电压有三种方法(如图3所示):
1)将兆欧表的正极(E)和负极(L)分别接双向触发二极管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的直流电压档测量出电压值,将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般为3~6V)。此偏差值越小,说明此二极管的性能越好。
2)先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。
若U1与U2的电压值相同,但与U的电压值不同,则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时,则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时,则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V,则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。
3)用0~50V连续可调直流电源,将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压,当电流表指针有较明显摆动时(几十微安以上),则说明此双向触发二极管已导通,此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。
LED发光二极管分类及发光材质介绍精品
LED(发光二极管)分类及发光材质介绍 LED 技术指标介绍 LED 显示屏的相关知识 2009-10-07 14:47 阅读 104 评 论 0 字号: 大 中 小 LED 电子显示屏是利用化合物材料制成 pn 结的光电器件。 它具备 pn 结结型器件的电学特性: I-V 特性、 C-V 特性和光 学特性:光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及 热学特性。 1、LED 电学特性 1.1 I-V 特性表征 LED 芯片 pn 结制备性能主要参数。 LE D 的 I-V 特性具有非线性、整流性质:单向导电性,即外加 正偏压表现低接触电阻,反之为高接触电阻。 如左图: (1) 正向死区:(图 oa 或 oa′段)a 点对于 V0 为开启电 压,当 V<Va,外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势 垒电场,此时 R 很大;开启电压对于不同 LED 其值不同, G aAs 为 1V,红色
LED(发光二极管)分类及发光材质介绍
11111111111111 LED(发光二极管)分类及发光材质介绍 LED技术指标介绍 LED显示屏的相关知识 2009-10-07 14:47 阅读 104 评论 0 字号: 大 中 小 LED电子显示屏是利用化合物材料制成 pn结的光电器件。 它具备 pn结结型器件的电学特性: I-V 特性、 C-V特性和光 学特性:光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及 热学特性。 1、LED电学特性 1.1 I-V 特性表征 LED芯片 pn结制备性能主要参数。 LED 的 I-V 特性具有非线性、整流性质:单向导电性,即外加正 偏压表现低接触电阻,反之为高接触电阻。 如左图: (1) 正向死区:(图 oa或 oa′段) a 点对于 V0 为开启 电压,当 V<Va,外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成 11111111111111 势垒电场,此时 R很大;开启电压对于不同 LE
将万用表置于R×1K挡,测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量,万用表指针向右摆动,说明被测管有漏电性故障。
将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表提供。测试时,摇动兆欧表,万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换被测管子的两个引脚,用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较,两者的绝对值之差越小,说明被测双向触发二极管的对称性越好。
(1)正、反向电阻值的测量
用万用表R×1k或R×10k档,测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。
(2)测量转折电压
测量双向触发二极管的转折电压有三种方法(如图3所示):
1)将兆欧表的正极(E)和负极(L)分别接双向触发二极管的两端,用兆欧表提供击穿电压,同时用万用表的直流电压档测量出电压值,将双向触发二极管的两极对调后再测量一次。比较一下两次测量的电压值的偏差(一般为3~6V)。此偏差值越小,说明此二极管的性能越好。
2)先用万用表测出市电电压U,然后将被测双向触发二极管串入万用表的交流电压测量回路后,接入市电电压,读出电压值U1,再将双向触发二极管的两极对调连接后并读出电压值U2。
若U1与U2的电压值相同,但与U的电压值不同,则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时,则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时,则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0V,则说明该双向触发二极管内部已开路损坏。
3)用0~50V连续可调直流电源,将电源的正极串接1只20kΩ电阻器后与双向触发二极管的一端相接,将电源的负极串接万用表电流档(将其置于1mA档)后与双向触发二极管的另一端相接。逐渐增加电源电压,当电流表指针有较明显摆动时(几十微安以上),则说明此双向触发二极管已导通,此时电源的电压值即是双向触发二极管的转折电压。
如图1所示。
它属于三层构造、具有对称性的二端半导体器件,可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称,见图2。
当器件两端的电压V小于正向转折电压V(so)时,呈高阻态,当V>V(Bo)时进入负阻区。同样,当V超过反向转折电压V(BR)时,管子也能进入负阻区。
转折电压的对称性用△Ub表示
△Ub=Ubo-|Ubr|
一般要求△Ub<2U。双向触发二极管的耐压值(V)大致分3个等级:20—60V,100-150V,200-250V。常用来触发双向可控硅,在电路中作过压保护等用途。在实际应用中,除根据电路的要求选取适当的转折电压Ubo外,还应选择转折电流Ibo小、转折电压偏差△Ub小的双向触发二极管。
双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外,还常用在过压保护、定时、移相等电路,图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过DIAC和Ubo时,DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通,使后面的负载免受过压损害。