如图1所示。

它属于三层构造、具有对称性的二端半导体器件，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称，见图2。

当器件两端的电压V小于正向转折电压V(so)时，呈高阻态，当V>V（Bo）时进入负阻区。同样，当V超过反向转折电压V(BR)时，管子也能进入负阻区。

转折电压的对称性用△Ub表示

△Ub=Ubo-|Ubr|

一般要求△Ub<2U。双向触发二极管的耐压值(V)大致分3个等级：20—60V，100－150V，200－250V。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。在实际应用中，除根据电路的要求选取适当的转折电压Ubo外，还应选择转折电流Ibo小、转折电压偏差△Ub小的双向触发二极管。

双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等电路，图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过DIAC和Ubo时，DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通，使后面的负载免受过压损害。