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城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究

《城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究》是依托北京交通大学,由高自友担任项目负责人的重点项目。

城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究基本信息

城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究项目摘要

本项目研究以揭示我国城市交通网络中交通流的时空分布及运行特点、优化利用交通资源和缓解与预防城市交通拥堵为目的,通过系统科学、经济学、行为科学、交通科学和管理科学之间的深层交叉研究,从网络交通流、路网结构和交通管理三个层面研究适合我国城市混合交通流特性的数学模型,设计高效的求解算法,验证交通流的各种组织优化与管理策略,并结合实际问题,提出切实可行的、有效的城市交通组织优化与管理策略,为缓解和预防城市

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城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究造价信息

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图方便智慧管理系统50-120M²

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基础管理

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城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究基本信息

批准号

70631001

项目名称

城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究

项目类别

重点项目

申请代码

G0102

项目负责人

高自友

负责人职称

教授

依托单位

北京交通大学

研究期限

2007-01-01 至 2010-12-31

支持经费

80(万元)

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城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究常见问题

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城市交通网络优化与管理的若干基础问题研究文献

加快城市道路建设完善城市交通网络 加快城市道路建设完善城市交通网络

加快城市道路建设完善城市交通网络

格式:pdf

大小:352KB

页数: 1页

在城市发展和建设的过程中,城市的交通问题一直以来都备受关注。交通网络的发展和完善不仅可以促进区域经济的发展,还可以给人们的出行带来较大的便利。现如今,城建工作者为了进一步提升城市的交通环境。从目前我国城市交通事业发展的现状中可见,虽然成绩比较明显,但是交通拥堵,事故频发的现象仍然存在。本文中,笔者主要对引起城市交通问题的原因进行分析,并且提出相应的解决措施,仅供参考。

城市轨道交通网络运行优化系统 城市轨道交通网络运行优化系统

城市轨道交通网络运行优化系统

格式:pdf

大小:352KB

页数: 4页

针对目前轨道交通运营管理无法实时掌握客流情况的现状,在全网各站点闸机实时数据以及历史数据的基础上,结合Agent仿真技术对进站客流建模,建立全网络条件下轨道交通客流分布模型.快速、全面地对轨道交通各个站点、线路之间的客流分布、运行情况进行直观仿真.通过向运营企业提供列车实时客流参数,使其可以全面把握全网各站点、各列车的实时客流情况,以此及时调整列车运行方案.另外,出行者也可以通过手机客户端了解网络客流状况,根据自身情况选择合适的出行方案.

微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究结题摘要

薄膜晶体管(TFT)是主动驱动平板显示的核心元件,微晶硅TFT性能优于非晶硅,制作工艺比多晶硅简单,是实现AM-OLED的方案之一。 我们的研究由单个TFT器件,到TFT器件的集成,最终实现7英寸的TFT-OLED 显示屏。主要结果如下。 一.微晶硅TFT 器件的研究 1.有源层的研究;(a)研究了生长条件如氢稀释浓度、衬底温度、功率密度和反应气体压强对微晶硅晶化率的影响。(b)采用PECVD双倍频(27.12MHz)直接生长微晶硅薄膜:采用双倍频技术提升微晶硅薄膜的沉积速率,改善薄膜的晶化率,直接生长出高质量的微晶硅薄膜。 2.绝缘层的研究:(a)通过优化工艺参数从而调节表面的粗糙度及薄膜的折射率。将SiNx的折射率控制在1.85-1.90之间,有利于生长高质量的微晶硅薄膜.(b)SiNx绝缘层采用沉积速率“先快后慢”两步沉积工艺,改善绝缘层/有源层之间的界面态, 3.界面的改善:(a) SiNx绝缘层表面采用plasma处理,改善了器件的关态电流,提高开关比,降低了阈值电压。(b)双有源层结构:采用a-Si/uc-Si复合结构薄膜代替uc-Si薄膜作为有源层,改善了关态电流,由6x10-10 A 降到 6x10-12 A. 4.基于无重掺杂的新型源漏电极的微晶硅TFT研究:为了避免传统重掺杂电极使用磷烷硼烷等有毒气体,研制安全的欧姆电极.(a)采用铝合金作为源漏电极我们采用铝合金作用源漏电极。(b)制备 Al/LiF源漏电极。在Al电极与μc-Si之间插入LiF薄层,制成Al/LiF源漏电极,其电子注入势垒由Al电极的0.512eV降到0.12eV。优化后TFT性能:迁移率0.5cm2/V.s, 阈值电压0.59V,开关比大于106 。 二.TFT 基板的制作:(a)像素采用2T1C 结构设计。基板尺寸:7英寸。分辨率:VGA 640×RGB(H)×480(V)。驱动电压:6-13V。像素大小:222um×74um。(b)工艺:6 MASK 工艺:制作栅极;形成硅岛;制作源漏电极及沟道;接触孔;制作像素电极 (ITO);制作平坦化层。 三.TFT-OLED显示屏的制作。 在TFT基板上制备OLED 得到7inch AMOLED彩色显示屏。分辨率:640X480;亮度:165 cd/m2;NTSC:65.5%。项目圆满完成.

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微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究中文摘要

薄膜晶体管(TFT)是主动驱动平板显示的核心元件,微晶硅TFT由于性能优于非晶硅,其制作工艺又与非晶硅基本相同,比多晶硅便宜,因此是当前最具竞争力的AM-OLED 的控制元件。我们将开展以下研究(1)微晶硅薄膜的新的制备和晶化研究。它具双层结构,先生长一层很薄微晶硅子晶层然后是非晶硅层;再用液相加热晶化的方法进行晶化的以期得到高质量,适合于量产的工艺。(2)欧姆接触层的研究:以插入超薄的绝缘层来代替传统n a-Si:H来实现欧姆接触;并探索其他制欧姆接触层的可能性。(3)绝缘层的研究:研究Si3N4和SiO2 绝缘层制备条件与深能级的浓度和深度,表面粗糙度的关系。(4)界面层的研究。(5)新型TFT器件结构的研究,如顶栅结构的微晶硅TFT器件的研制等。(6)微晶硅TFT与OLED的集成的研究。寻找最佳的参数及最合适的器件结构如底栅或顶栅TFT,微腔顶发射或微腔底发射OLED等。

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