由于制备技术欠完善，通常薄膜中的缺陷浓度比较高，主要缺陷为杂质、空位、填隙原子、位错、晶界，以及表面和界面的吸附和偏析等。

导电膜是具有导电功能的薄膜。 导电薄膜的荷电载流子在输运过程中受到表面和界面的散射，当薄膜的厚度可与电子的自由程相比拟时，在表面和界面的影响将变得显著，这个现象称为薄膜的尺寸效应。它等效于载流子的自由程减小，因此与同样材料的块体相比，薄膜的电导率较小。

导电膜产品描述

氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。

导电膜制作方法

ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法（ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法），在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。

导电膜应用领域

产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。

导电膜产品参数

线性度（MD）：≤1.5%

全光线透过率：≥86%

表面硬度（铅笔硬度）：≥3H

热稳定性：(R-R0)/R: ±20%

热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8%

加热卷曲：≤10mm

低阻抗柔性ITO导电膜（PET-ITO）

适用于柔性电致变色器件、柔性薄膜太阳能电池、柔性EL发光器件的制备和生产。

薄膜厚度：0.175±10 mm

雾度：<2%

宽度：406/360±2 mm

粘附：100/100

卷曲：≤10 mm

透过率：≥ 80%

表面电阻：90±15 Ω/□

面电阻均匀性：<7%

热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0

热稳定性：

高温：80oC,120hr ≤1.3

低温：-40oC,120hr ≤1.3

热循环：-30oC—80oC ≤1.3

热/湿度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

导电膜参数关系

ITO导电膜的主要参数有：表面电阻、表面电阻的均匀性、透光率、热稳定性、加热收缩率、加热卷曲等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面电阻有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。

透明导电薄膜是一种既能导电又在可见光范围内具有高透明率的一种薄膜，主要有金属膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、复合膜系等。金属膜系导电性能好，但是透明率差。

最近几年来国内外的研究者分别在低温制备的设备、工艺、薄膜的表面改性、多层膜系的设计和制备工艺方面进行了深入的研究。例如，Wu Wen-Fa等利用R.F磁控溅射工艺在不加热的聚碳酸酯（PC）衬底上制备了厚度为250mm，电阻率为6× ~2（Ω·cm），透过率为74%~90%；Park Sung Kyu等利用R.F磁控溅射工艺在低温聚合物PES上制备了110nmITO，方块电阻是20O/□，透过率80%，但是表面的粗糙度较大；法国的David等，利用In-Sn合金靶在100℃下沉积在聚合物上的ITO薄膜透过率为85%，电阻率为~0.003Ω·cm，表面粗糙度为15-50，美国的Daeil.KIM用直接金属离子束沉积（DMIBD）方法在70℃的条件下制备的ITO薄膜最高透过率为85%，最低电阻率为4×Ω·cm，表面质量比较高；此外还有一些研究人员利用脉冲激光沉积（PLD），电子束热蒸发和金属离子辅助溅射等方法在低温甚至在室温的条件下进行高质量塑基的薄膜制备。

国内的贾永新在150℃基板条件下制备出了透过率为80%左右ITO薄膜，但没有见电阻和表面特性的报道；近年来李育峰等利用微波等离子体辅助方法在120℃的基片上沉积的薄膜透过率大于85%，但方块电阻大于100O/□，表面特性没有报道；马瑾等在塑料衬底上在80℃-100℃的条件下制备出了透过率大于84%，电阻率~0.001量级的薄膜。

综上所述，国内在低温尤其常温下制备ITO薄膜方面研究还不够充分、不够全面；并且研究制备方法也比较单一，与国外有比较大的差距。近年来国外尤其日本和韩国分别在低温沉积技术、薄膜生长机理和薄膜表面改性方面进行了深入的研究，在保证不对薄膜衬底产生破坏的情况下，在低温甚至室温的条件下制备出了薄膜电阻率低于5×Ω·cm，透过率大于85%，表面的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。

ITO导电膜高阻抗

高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。

产品参数：

面电阻：300～500 Ω/□

面电阻均匀性：MD≤±3%，TD≤±6%

薄膜厚度：0.188±10%

线性度（MD）：≤1.5%

全光线透过率：≥86%

表面硬度（铅笔硬度）：≥3H

热稳定性：(R-R0)/R: ±20%

热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8%

加热卷曲：≤10mm

ITO导电膜低阻抗

低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域，如：用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。

产品参数：

薄膜厚度：0.175±10% mm

雾度：<2%

宽度：406/360±2 mm

粘附：100/100

卷曲：≤10 mm

透过率：≥ 80%

表面电阻：90±15 Ω/□

面电阻均匀性：<7%

热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0

热稳定性：

高温：80oC,120hr ≤1.3

低温：-40oC,120hr ≤1.3

热循环：-30oC—80oC ≤1.3

热/湿度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3

2014第十三届深圳国际触摸屏展览会

时间：2014年11月25日—27日

地点：深圳会展中心 解读词条背后的知识

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    2019-08-050

2.1 何谓异方性导电胶：

其特点在於Z轴电气导通方向与XY绝缘平面的电阻特性具有明显的差异性。当Z轴导通电阻值与XY平面绝缘电阻值的差异超过一定比值後，既可称为良好的导电异方性。

2.2 导通原理：

利用导电粒子连接IC晶片与基板两者之间的电极使之成为导通，同时又能避免相邻两电极间导通短路，而达成只在Z轴方向导通之目的。

2.3 产品分类：

1. 异方性导电膏。 2. 异方性导电膜。 异方性导电膜(ACF)具有可以连续加工(Tape-on-Reel)极低材料损失的特性，因此成为目前较普遍使用的产品形式。

2.4 主要组成：

主要包括树脂黏著剂、导电粒子两大部分。树脂黏著剂功能除了防湿气，接著，耐热及绝缘功能外主要为固定IC晶片与基板间电极相对位置，并提供一压迫力量已维持电极与导电粒子间的接触面积。 一般树脂分为热塑性树脂与热固性树脂两大类。热塑性材料主要具有低温接著，组装快速极容易重工之优点，但亦具有高热膨胀性和高吸湿性缺点，使其处於高温下易劣化，无法符合可*性、信赖性之需求。而热固性树脂如环氧树脂(Epoxy)、Polyimide等，则具有高温安定性且热膨胀性和吸湿性低等优点，但加工温度高且不易重工为其缺点，但其可加工性高的优点仍为目前采用最广泛之材料。

在导电粒子方面，异方导电特性主要取决於导电粒子的充填率。虽然异方性导电胶其导电率会随著导电粒子充填率的增加而提高，但同时也会提升导电粒子互相接触造成短路的机率。 另外，导电粒子的粒径分布和分布均匀性亦会对异方导电特性有所影响。通常，导电粒子必须具有良好的粒径均一性和真圆度，以确保电极与导电粒子间的接触面积一致，维持相同的导通电阻，并同时避免部分电极未接触到导电粒子，导致开路的情形发生。常见的粒径范围在3~5μm之间，太大的导电粒子会降低每个电极接触的粒子数，同时也容易造成相邻电极导电粒子接触而短路的情形；太小的导电粒子容易行成粒子聚集的问题，造成粒子分布密度不平均。 在导电粒子的种类方面目前已金属粉末和高分子塑胶球表面涂布金属为主。常见使用的金属粉镍(Ni)、金(Au)、镍上镀金、银及锡合金等。 目前在可*性和细间距化的趋势下，如COF和COG构装所使用之异方性导电胶，其导电粒子多表面镀镍镀金之高分子塑胶粉末，其特点在於塑胶核心具可压缩性，因此可以增加电极与导电粒子间的接触面积，降低导通电阻；同时，塑胶核心与树脂基础原料的热膨胀性较为接近，可以避免热循环和热冲击环境时，在高温或低温环境下，导电粒子因与树脂基础原料的热膨胀性差异减少与电极间的接触面积，导致导通电阻上升，甚至於开路失效的情形发生。