氧化铟锡(Indium-Tin Oxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面磁控技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。
ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法(ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法),在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。
产品广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。
线性度(MD):≤1.5%
全光线透过率:≥86%
表面硬度(铅笔硬度):≥3H
热稳定性:(R-R0)/R: ±20%
热收缩率:MD≤1.0%,TD≤0.8%
加热卷曲:≤10mm
低阻抗柔性ITO导电膜(PET-ITO)
适用于柔性电致变色器件、柔性薄膜太阳能电池、柔性EL发光器件的制备和生产。
薄膜厚度:0.175±10 mm
雾度:<2%
宽度:406/360±2 mm
粘附:100/100
卷曲:≤10 mm
透过率:≥ 80%
表面电阻:90±15 Ω/□
面电阻均匀性:<7%
热收缩:MD≤1.3,TD≤1.0
热稳定性:
高温:80oC,120hr ≤1.3
低温:-40oC,120hr ≤1.3
热循环:-30oC—80oC ≤1.3
热/湿度: 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3
ITO导电膜的主要参数有:表面电阻、表面电阻的均匀性、透光率、热稳定性、加热收缩率、加热卷曲等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜的表面电阻有关。在基底材料相同的情况下,ITO膜的表面电阻越小,ITO膜层的厚度越大,光透过率相应的会有一定程度的减小。